Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> HMP112P7EFR8C-C4

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HMP112P7EFR8C-C4: 产品描述240pin Registered DDR2 SDRAM DIMMs; 产品类别存储存储; 文件大小392KB，共26页; 制造商SK Hynix(海力士); 官网地址http://www.hynix.com/eng/; 标准

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HMP112P7EFR8C-C4概述

240pin Registered DDR2 SDRAM DIMMs

HMP112P7EFR8C-C4规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	DIMM
包装说明	DIMM, DIMM240,40
针数	240
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
访问模式	SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.5 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH; SEATED HGT-NOM; WD-MAX
最大时钟频率 (fCLK)	266 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B208
长度	133.35 mm
内存密度	1073741824 bi
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE
内存宽度	8
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	240
字数	134217728 words
字数代码	128000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	55 °C
最低工作温度
组织	128MX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM
封装等效代码	DIMM240,40
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	1.8 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
座面最大高度	30 mm
自我刷新	YES
最大待机电流	0.74 A
最大压摆率	2.225 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD
端子节距	1 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	20
宽度	2.7 mm

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240pin Registered DDR2 SDRAM DIMMs based on 1Gb version E

This Hynix Registered Dual In-Line Memory Module (DIMM) series consists of 1Gb version E DDR2

SDRAMs in Fine Ball Grid Array (FBGA) packages on a 240pin glass-epoxy substrate. This Hynix 1Gb

version E based Registered DDR2 DIMM series provide a high performance 8 byte interface in 5.25" width

form factor of industry standard. It is suitable for easy interchange and addition.

FEATURES

•

JEDEC standard Double Data Rate2 Synchro-

nous DRAMs (DDR2 SDRAMs) with 1.8V +/-

0.1V Power Supply

All inputs and outputs are compatible with

SSTL_1.8 interface

8 Bank architecture

Posted CAS

Programmable CAS Latency 3, 4, 5, 6

OCD (Off-Chip Driver Impedance Adjustment)

ODT (On-Die Termination)

•

Fully differential clock operations (CK & CK)

Programmable Burst Length 4 / 8 with both

sequential and interleave mode

Auto refresh and self refresh supported

8192 refresh cycles / 64ms

Serial presence detect with EEPROM

DDR2 SDRAM Package: 60 ball(x4/x8)

133.35 x 30.00 mm form factor

Halogen free & RoHS compliant

•

ORDERING INFORMATION

Part Name

HMP112P7EFR8C-C4/Y5/S6/S5

HMP125P7EFR4C-C4/Y5/S6/S5

HMP151P7EFR4C-C4/Y5/S6/S5

HMP31GP7EMR4C-C4/Y5

Density Organization

1GB

2GB

4GB

8GB

128Mx72

256Mx72

512Mx72

# of

DRAMs

# of

ranks

Materials

Halogen Free

Parity

Support

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Semiconductor does not assume any

responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.

Rev. 0.2 / Sep. 2008

HMP112P7EFR8C-C4相似产品对比

	HMP112P7EFR8C-C4	HMP125P7EFR4C-C4	HMP125P7EFR4C-Y5	HMP151P7EFR4C-S5	HMP151P7EFR4C-S6
描述	240pin Registered DDR2 SDRAM DIMMs	240pin Registered DDR2 SDRAM DIMMs	240pin Registered DDR2 SDRAM DIMMs	240pin Registered DDR2 SDRAM DIMMs	240pin Registered DDR2 SDRAM DIMMs
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合
厂商名称	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
包装说明	DIMM, DIMM240,40	DIMM, DIMM240,40	DIMM, DIMM240,40	DIMM, DIMM240,40	DIMM, DIMM240,40
针数	240	240	240	240	240
Reach Compliance Code	compli	compli	compli	compliant	compli
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.5 ns	0.5 ns	0.45 ns	0.4 ns	0.4 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH; SEATED HGT-NOM; WD-MAX	AUTO/SELF REFRESH; SEATED HGT-NOM; WD-MAX	AUTO/SELF REFRESH; SEATED HGT-NOM; WD-MAX	AUTO/SELF REFRESH; SEATED HGT-NOM; WD-MAX	AUTO/SELF REFRESH; SEATED HGT-NOM; WD-MAX
最大时钟频率 (fCLK)	266 MHz	266 MHz	333 MHz	400 MHz	400 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B208	R-PBGA-B208	R-PBGA-B208	R-PBGA-B208	R-PBGA-B208
长度	133.35 mm	133.35 mm	133.35 mm	133.35 mm	133.35 mm
内存密度	1073741824 bi	2147483648 bi	2147483648 bi	4294967296 bit	4294967296 bi
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE
内存宽度	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1
端子数量	240	240	240	240	240
字数	134217728 words	268435456 words	268435456 words	536870912 words	536870912 words
字数代码	128000000	256000000	256000000	512000000	512000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	55 °C	55 °C	55 °C	55 °C	55 °C
组织	128MX8	256MX8	256MX8	512MX8	512MX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
封装等效代码	DIMM240,40	DIMM240,40	DIMM240,40	DIMM240,40	DIMM240,40
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	260	260
电源	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	8192	8192	8192	8192	8192
座面最大高度	30 mm	30 mm	30 mm	30 mm	30 mm
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES
最大待机电流	0.74 A	0.83 A	0.83 A	1.01 A	1.01 A
最大压摆率	2.225 mA	4.07 mA	4.16 mA	5.6 mA	5.6 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	20	20	20	20	20
宽度	2.7 mm	4 mm	4 mm	4 mm	4 mm

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