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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> HYMD232M646DP6-D43
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HYMD232M646DP6-D43

产品描述200pin Unbuffered DDR SDRAM SO-DIMMs based on 256Mb D ver. (TSOP)
产品类别存储    存储   
文件大小248KB，共23页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
标准
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HYMD232M646DP6-D43概述

200pin Unbuffered DDR SDRAM SO-DIMMs based on 256Mb D ver. (TSOP)

HYMD232M646DP6-D43规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称SK Hynix(海力士)
零件包装代码MODULE
包装说明DIMM, DIMM200,24
针数200
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
访问模式DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间0.7 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)200 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDMA-N200
内存密度2147483648 bi
内存集成电路类型DDR DRAM MODULE
内存宽度64
功能数量1
端口数量1
端子数量200
字数33554432 words
字数代码32000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织32MX64
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM200,24
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
电源2.6 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
自我刷新YES
最大待机电流0.08 A
最大压摆率1.24 mA
最大供电电压 (Vsup)2.7 V
最小供电电压 (Vsup)2.5 V
标称供电电压 (Vsup)2.6 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子节距0.6 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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200pin Unbuffered DDR SDRAM SO-DIMMs based on 256Mb D ver. (TSOP)
This Hynix unbuffered Small Outline, Dual In-Line Memory Module (DIMM) series consists of 256Mb D ver. DDR
SDRAMs in 400 mil TSOP II packages on a 200pin glass-epoxy substrate. This Hynix 256Mb D ver. based unbuffered
SO-DIMM series provide a high performance 8 byte interface in 67.60mm width form factor of industry standard. It is
suitable for easy interchange and addition.
FEATURES
•
•
•
•
•
•
•
JEDEC Standard 200-pin small outline, dual in-line
memory module (SO-DIMM)
Two ranks 32M x 64 and One rank 32M x 64, 16M x
64 organization
2.6V
±
0.1V VDD and VDDQ Power supply for
DDR400, 2.5V
±
0.2V for DDR333 and below
All inputs and outputs are compatible with SSTL_2
interface
Fully differential clock operations (CK & /CK) with
133/166/200MHz
DLL aligns DQ and DQS transition with CK transition
Programmable CAS Latency: DDR266(2, 2.5 clock),
DDR333(2.5 clock), DDR400(3 clock)
•
•
•
•
•
•
•
Programmable Burst Length 2 / 4 / 8 with both
sequential and interleave mode
Edge-aligned DQS with data outs and Center-aligned
DQS with data inputs
Auto refresh and self refresh supported
8192 refresh cycles / 64ms
Serial Presence Detect (SPD) with EEPROM
Built with 256Mb DDR SDRAMs in 400 mil TSOP II
packages
Lead-free product listed for each configuration
(RoHS compliant)
ADDRESS TABLE
Organization
256MB
256MB
128MB
32M x 64
32M x 64
16M x 64
Ranks
2
1
1
SDRAMs
16Mb x 16
32Mb x 8
16Mb x 16
# of
DRAMs
8
8
4
# of row/bank/column Address
13(A0~A12)/2(BA0,BA1)/9(A0~A8)
13(A0~A12)/2(BA0,BA1)/10(A0~A9)
13(A0~A12)/2(BA0,BA1)/9(A0~A8)
Refresh
Method
8K / 64ms
8K / 64ms
8K / 64ms
PERFORMANCE RANGE
Part-Number Suffix
Speed Bin
CL - tRCD- tRP
CL=3
Max Clock
Frequency
CL=2.5
CL=2
-D43
1
DDR400B
3-3-3
200
166
133
-J
DDR333
2.5-3-3
-
166
133
-K
DDR266A
2-3-3
-
133
133
-H
DDR266B
2.5-3-3
-
133
133
Unit
-
CK
MHz
MHz
MHz
Note:
1. 2.6V +/- 0.1V VDD and VDDQ Power supply for DDR400 and 2.5V +/- 0.2V for DDR333 and below
Rev. 1.1 / May. 2005
1
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Semiconductor does not assume any
responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.

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