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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> HYMD216M646C6-J
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HYMD216M646C6-J

产品描述Unbuffered DDR SO-DIMM
产品类别存储    存储   
文件大小303KB，共20页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
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HYMD216M646C6-J概述

Unbuffered DDR SO-DIMM

HYMD216M646C6-J规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称SK Hynix(海力士)
零件包装代码MODULE
包装说明DIMM, DIMM200,24
针数200
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
访问模式SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间0.7 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)166 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDMA-N200
内存密度1073741824 bi
内存集成电路类型DDR DRAM MODULE
内存宽度64
功能数量1
端口数量1
端子数量200
字数16777216 words
字数代码16000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织16MX64
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM200,24
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
电源2.5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
自我刷新YES
最大压摆率1.34 mA
最大供电电压 (Vsup)2.7 V
最小供电电压 (Vsup)2.3 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子节距0.6 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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16Mx64 bits
Unbuffered DDR SO-DIMM
HYMD216M646C(L)6-J/M/K/H/L
Document Title
16M x 64 bits Unbuffered DDR SO-DIMM
Revision History
No.
0.1
0.2
0.3
Defined Preliminary Specification
1) Reflected a "notational" change in module thickness on page 17 - Not Real ! -
2) Corrected some typos
Modified the side view of module including additional device at page 17
History
Draft Date
Mar. 2003
Apr. 2004
Oct. 2004
Remark
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Semiconductor does not assume any
responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.
Rev. 0.3 / Oct. 2004
1

HYMD216M646C6-J相似产品对比

HYMD216M646C6-J HYMD216M646C6-K HYMD216M646C6-L HYMD216M646C6-M FYQ-3042BX-34 HYMD216M646CL6-J HYMD216M646CL6-L HYMD216M646CL6-M
描述 Unbuffered DDR SO-DIMM Unbuffered DDR SO-DIMM Unbuffered DDR SO-DIMM Unbuffered DDR SO-DIMM 0.30Inch (7.60mm) digit height Four Digits Display Unbuffered DDR SO-DIMM Unbuffered DDR SO-DIMM Unbuffered DDR SO-DIMM
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 - 不符合 不符合 不符合
厂商名称 SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) - SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士)
零件包装代码 MODULE MODULE MODULE MODULE - MODULE MODULE MODULE
包装说明 DIMM, DIMM200,24 DIMM, DIMM200,24 DIMM, DIMM200,24 DIMM, DIMM200,24 - DIMM, DIMM200,24 DIMM, DIMM200,24 DIMM, DIMM200,24
针数 200 200 200 200 - 200 200 200
Reach Compliance Code unknow unknow unknow unknow - compli compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 - EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST - SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间 0.7 ns 0.75 ns 0.8 ns 0.75 ns - 0.7 ns 0.8 ns 0.75 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH - AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK) 166 MHz 133 MHz 125 MHz 133 MHz - 166 MHz 125 MHz 133 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON - COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XDMA-N200 R-XDMA-N200 R-XDMA-N200 R-XDMA-N200 - R-XDMA-N200 R-XDMA-N200 R-XDMA-N200
内存密度 1073741824 bi 1073741824 bi 1073741824 bi 1073741824 bi - 1073741824 bi 1073741824 bi 1073741824 bi
内存集成电路类型 DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE - DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE
内存宽度 64 64 64 64 - 64 64 64
功能数量 1 1 1 1 - 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 - 1 1 1
端子数量 200 200 200 200 - 200 200 200
字数 16777216 words 16777216 words 16777216 words 16777216 words - 16777216 words 16777216 words 16777216 words
字数代码 16000000 16000000 16000000 16000000 - 16000000 16000000 16000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS - SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C - 70 °C 70 °C 70 °C
组织 16MX64 16MX64 16MX64 16MX64 - 16MX64 16MX64 16MX64
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE - 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED - UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIMM DIMM DIMM DIMM - DIMM DIMM DIMM
封装等效代码 DIMM200,24 DIMM200,24 DIMM200,24 DIMM200,24 - DIMM200,24 DIMM200,24 DIMM200,24
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY - MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V - 2.5 V 2.5 V 2.5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 8192 8192 8192 8192 - 8192 8192 8192
自我刷新 YES YES YES YES - YES YES YES
最大压摆率 1.34 mA 1.3 mA 1.16 mA 1.34 mA - 1.34 mA 1.16 mA 1.34 mA
最大供电电压 (Vsup) 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V - 2.7 V 2.7 V 2.7 V
最小供电电压 (Vsup) 2.3 V 2.3 V 2.3 V 2.3 V - 2.3 V 2.3 V 2.3 V
标称供电电压 (Vsup) 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V - 2.5 V 2.5 V 2.5 V
表面贴装 NO NO NO NO - NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS - CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL - COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD - NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子节距 0.6 mm 0.6 mm 0.6 mm 0.6 mm - 0.6 mm 0.6 mm 0.6 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL - DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED

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