64K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8
64K × 8 总线串行电可擦除只读存储器, PDSO8
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 零件包装代码 | SOIC |
| 包装说明 | SOIJ-8 |
| 针数 | 8 |
| Reach Compliance Code | compli |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 4 weeks |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 20 MHz |
| 数据保留时间-最小值 | 200 |
| 耐久性 | 1000000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 长度 | 5.26 mm |
| 内存密度 | 524288 bi |
| 内存集成电路类型 | EEPROM |
| 内存宽度 | 8 |
| 湿度敏感等级 | 3 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 8 |
| 字数 | 65536 words |
| 字数代码 | 64000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 64KX8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOP |
| 封装等效代码 | SOP8,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行 | SERIAL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 电源 | 2.5/5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 2.03 mm |
| 串行总线类型 | SPI |
| 最大待机电流 | 0.000001 A |
| 最大压摆率 | 0.01 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) - annealed |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
| 宽度 | 5.25 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 5 ms |
| 写保护 | HARDWARE/SOFTWARE |
| Base Number Matches | 1 |
| 25AA512-I/SM | 25AA512T-I/MF | 25AA512T-I/P | 25AA512T-I/SM | 25AA512_10 | 25AA512T-I/SN16KVAO | 25AA512-I/WF16K | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | 64K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 | 64K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 | 64K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 | 64K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 | 64K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 | EEPROM, 512KX1, Serial, CMOS, PDSO8 | IC EEPROM 512K SPI 20MHZ WAFER |
| 内存宽度 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 | 1 | 8 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 组织 | 64KX8 | 64KX8 | 64K X 8 | 64KX8 | 64K X 8 | 512KX1 | 64KX8 |
| 表面贴装 | YES | YES | Yes | YES | Yes | YES | YES |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
| 端子形式 | GULL WING | NO LEAD | NO LEAD | GULL WING | NO LEAD | GULL WING | NO LEAD |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL | UPPER |
| 包装说明 | SOIJ-8 | DFN-8 | - | SOIJ-8 | - | SOP, | DIE, |
| Reach Compliance Code | compli | compli | - | compli | - | compliant | unknown |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 20 MHz | 20 MHz | - | 20 MHz | - | 20 MHz | 20 MHz |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 | R-PDSO-N8 | - | R-PDSO-G8 | - | R-PDSO-G8 | R-XUUC-N |
| 长度 | 5.26 mm | 6 mm | - | 5.26 mm | - | 4.9 mm | - |
| 内存密度 | 524288 bi | 524288 bi | - | 524288 bi | - | 524288 bit | 524288 bit |
| 内存集成电路类型 | EEPROM | EEPROM | - | EEPROM | - | EEPROM | EEPROM |
| 端子数量 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 | - |
| 字数 | 65536 words | 65536 words | - | 65536 words | - | 524288 words | 65536 words |
| 字数代码 | 64000 | 64000 | - | 64000 | - | 512000 | 64000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | - | SYNCHRONOUS | - | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | - | 85 °C | - | 85 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | - | -40 °C | - | -40 °C | -40 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | SOP | HVSON | - | SOP | - | SOP | DIE |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE | - | SMALL OUTLINE | - | SMALL OUTLINE | UNCASED CHIP |
| 并行/串行 | SERIAL | SERIAL | - | SERIAL | - | SERIAL | SERIAL |
| 座面最大高度 | 2.03 mm | 1 mm | - | 2.03 mm | - | 1.75 mm | - |
| 串行总线类型 | SPI | SPI | - | SPI | - | SPI | SPI |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | - | 5.5 V | - | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.8 V | 1.8 V | - | 1.8 V | - | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V | 2.5 V | - | 2.5 V | - | 5 V | 5 V |
| 技术 | CMOS | CMOS | - | CMOS | - | CMOS | CMOS |
| 端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm | - | 1.27 mm | - | 1.27 mm | - |
| 宽度 | 5.25 mm | 5 mm | - | 5.25 mm | - | 3.9 mm | - |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 5 ms | 5 ms | - | 5 ms | - | 5 ms | 5 ms |
| Base Number Matches | 1 | 1 | - | 1 | - | 1 | - |
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