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NDP03N60ZG

产品描述2.6 A, 600 V, 3.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小156KB,共10页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
标准
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

NDP03N60ZG概述

2.6 A, 600 V, 3.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

2.6 A, 600 V, 3.6 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管

NDP03N60ZG规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码TO-220AB
包装说明ROHS COMPLIANT, CASE 221A-09, 3 PIN
针数3
制造商包装代码CASE 221A-09
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)100 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压600 V
最大漏极电流 (ID)3 A
最大漏源导通电阻3.6 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)12 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON

NDP03N60ZG相似产品对比

NDP03N60ZG NDP03N60Z
描述 2.6 A, 600 V, 3.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET 2.6 A, 600 V, 3.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
元件数量 1 1
端子数量 3 3
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-孔
端子位置 SINGLE 单一的
晶体管元件材料 SILICON
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