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NDP03N60Z

产品描述2.6 A, 600 V, 3.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小156KB,共10页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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NDP03N60Z概述

2.6 A, 600 V, 3.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

2.6 A, 600 V, 3.6 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管

NDP03N60Z规格参数

参数名称属性值
端子数量3
最小击穿电压600 V
加工封装描述HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 369D-01, IPAK-3
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
状态ACTIVE
包装形状矩形的
包装尺寸IN-线
端子形式THROUGH-孔
端子涂层MATTE 锡
端子位置单一的
包装材料塑料/环氧树脂
结构单一的 WITH BUILT-IN 二极管
壳体连接DRAIN
元件数量1
晶体管元件材料
通道类型N沟道
场效应晶体管技术金属-OXIDE SEMICONDUCTOR
操作模式ENHANCEMENT
晶体管类型通用电源
最大漏电流2.6 A
额定雪崩能量100 mJ
最大漏极导通电阻3.6 ohm
最大漏电流脉冲10 A

NDP03N60Z相似产品对比

NDP03N60Z NDP03N60ZG
描述 2.6 A, 600 V, 3.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET 2.6 A, 600 V, 3.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
端子数量 3 3
端子形式 THROUGH-孔 THROUGH-HOLE
端子位置 单一的 SINGLE
元件数量 1 1
晶体管元件材料 SILICON

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