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2SC5862C

产品描述Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小65KB,共6页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

2SC5862C概述

Transistor

2SC5862C规格参数

参数名称属性值
包装说明,
Reach Compliance Codeunknow
最大集电极电流 (IC)0.1 A
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)160
最高工作温度150 °C
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.13 W
表面贴装YES
Base Number Matches1

2SC5862C相似产品对比

2SC5862C 2SC5862 2SC5862D 2SC5862B
描述 Transistor Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SMPAK-3 Transistor Transistor
Reach Compliance Code unknow unknow unknow unknow
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A
配置 Single SINGLE Single Single
最小直流电流增益 (hFE) 160 100 250 100
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN
表面贴装 YES YES YES YES
Base Number Matches 1 1 1 1
最高工作温度 150 °C - 150 °C 150 °C
最大功率耗散 (Abs) 0.13 W - 0.13 W 0.13 W
特殊的 Double 11 ^_^
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