Page Mode DRAM, 256KX1, 100ns, MOS, PDIP16,
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Micron Technology |
Reach Compliance Code | not_compliant |
最长访问时间 | 100 ns |
I/O 类型 | SEPARATE |
JESD-30 代码 | R-PDIP-T16 |
JESD-609代码 | e0 |
内存密度 | 262144 bit |
内存集成电路类型 | PAGE MODE DRAM |
内存宽度 | 1 |
端子数量 | 16 |
字数 | 262144 words |
字数代码 | 256000 |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 256KX1 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | DIP |
封装等效代码 | DIP16,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
电源 | 5 V |
认证状态 | Not Qualified |
刷新周期 | 256 |
最大压摆率 | 0.055 mA |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | NO |
技术 | MOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |
MT1259-10 | MT1259-12 | MT1259C-12 | MT1259C-10 | |
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描述 | Page Mode DRAM, 256KX1, 100ns, MOS, PDIP16, | Page Mode DRAM, 256KX1, 120ns, MOS, PDIP16 | Page Mode DRAM, 256KX1, 120ns, MOS, CDIP16 | Page Mode DRAM, 256KX1, 100ns, MOS, CDIP16 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | Micron Technology | Micron Technology | Micron Technology | Micron Technology |
Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant | unknown | _compli |
最长访问时间 | 100 ns | 120 ns | 120 ns | 100 ns |
I/O 类型 | SEPARATE | SEPARATE | SEPARATE | SEPARATE |
JESD-30 代码 | R-PDIP-T16 | R-PDIP-T16 | R-XDIP-T16 | R-XDIP-T16 |
JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 |
内存密度 | 262144 bit | 262144 bit | 262144 bit | 262144 bi |
内存集成电路类型 | PAGE MODE DRAM | PAGE MODE DRAM | PAGE MODE DRAM | PAGE MODE DRAM |
内存宽度 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 16 | 16 | 16 | 16 |
字数 | 262144 words | 262144 words | 262144 words | 262144 words |
字数代码 | 256000 | 256000 | 256000 | 256000 |
最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
组织 | 256KX1 | 256KX1 | 256KX1 | 256KX1 |
输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | CERAMIC | CERAMIC |
封装代码 | DIP | DIP | DIP | DIP |
封装等效代码 | DIP16,.3 | DIP16,.3 | DIP16,.3 | DIP16,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE |
电源 | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
刷新周期 | 256 | 256 | 256 | 256 |
最大压摆率 | 0.055 mA | 0.055 mA | 0.055 mA | 0.055 mA |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
表面贴装 | NO | NO | NO | NO |
技术 | MOS | MOS | MOS | MOS |
温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL |
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