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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 普通整流桥> MB1M
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MB1M

产品描述普通整流桥, 100V, 0.8A, 35A, 1V, 0.4A, 5uA
产品类别分立半导体    普通整流桥   
文件大小1MB，共2页
制造商LGE
官网地址http://www.luguang.cn/web_en/index.html
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MB1M概述

普通整流桥, 100V, 0.8A, 35A, 1V, 0.4A, 5uA

MB1M规格参数

参数名称属性值
PackageMBM
Maximum recurrent peak reverse voltage100
Maximum average forward rectified current0.4
Peak forward surge current35
Maximum instantaneous forward voltage1
Maximum reverse current5
TJ(℃）-55～+150

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MB2M-MB10M
SILICON BRIDGE RECTIFIERS
MBM
A
Dim
A
Min
4.40
3.40
2.35
0.15
4.60
0.50
5.70
2.30
5.40
All Dimensions in mm
Max
4.80
3.80
2.65
0.35
5.20
0.80
6.30
2.70
5.90
FEATURES
Glass passivated chip junctions
High surge overload rating: 35A peak
Saves space on printed circuit boards
Plastic material has U/L flammability classification94V-O
C
-
+
B
B
C
E
L
~
~
F
I
F
I
E
J
K
L
K
J
This series is UL recognized under Component Index, file number E239431
High temperature soldering guaranteed: 260°C/10 seconds at 5 lbs. (2.3kg) tension
MECHANICAL DATA
Case: Molded plastic body over passivated junctions
Terminals: Plated leads solderable per MIL-STD-750, Method 2026
Maximum Ratings
(@TA = 25°C unless otherwise specified)
Characteristic
Peak Repetitive Reverse Voltage
RMS Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
Maximum average forward Output current
@T
A
=25℃
Peak forward surge current
8.3ms single half-sine-
Symbol
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
It
2
MB2M
200
140
200
MB4M
400
280
400
MB6M
600
420
600
0.5
1)
2)
MB8M
800
560
800
MB10M
1000
700
1000
UNITS
V
V
V
A
0.8
wave superimposed on rated load
Current squared time t < 8.3ms , Ta = 25℃
35
5.1
2
A
As
Thermal Characteristics
Characteristic
Typical junction capacitance per leg
Typical thermal resistance per leg
(NOTE 3)
(NOTE 1)
(NOTE 2)
Operating junction temperature range
Storage temperature range
Symbol
C
J
R
ΘJA
R
θ
JL
T
J
T
STG
MB2M
MB4M
MB6M
13
85
20
- 55 ---- + 150
- 55 ---- + 150
MB8M
MB10M
UNITS
pF
℃/W
℃
℃
Electrical Characteristics
(@TA = 25°C unless otherwise specified)
Characteristic
Maximum instantaneous forward voltage at 0.4 A
Maximum reverse current @T
A
=25℃
at rated DC blocking voltage @T
A
=125℃
Symbol
V
F
I
R
MB2M
MB4M
MB6M
1.0
5.0
100
MB8M
MB10M
UNITS
V
μ
A
NOTES: (1) On glass epoxy P.C.B. mounted on 0.05 x 0.05" (1.3 x 1.3mm) pads
(2) On aluminum substrate P.C.B. with an area of 0.8" x 0.8" (20 x 20mm) mounted on 0.05 x 0.05" (1.3 x 1.3mm) solder pad
(3) Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0 Volts
ht
t
p
:
//
Revision:20170701-P1
www.lgesemi
.c
o
m
mail:lge@lgesemi.com

MB1M相似产品对比

MB1M MB6M MB2M MB4M MB8M MB10M
描述 普通整流桥, 100V, 0.8A, 35A, 1V, 0.4A, 5uA 普通整流桥, 600V, 0.8A, 35A, 1V, 0.4A, 5uA 普通整流桥, 200V, 0.8A, 35A, 1V, 0.4A, 5uA 普通整流桥, 400V, 0.8A, 35A, 1V, 0.4A, 5uA 普通整流桥, 800V, 0.8A, 35A, 1V, 0.4A, 5uA 普通整流桥, 1000V, 0.8A, 35A, 1V, 0.4A, 5uA
Package MBM MBM MBM MBM MBM MBM
Maximum recurrent peak reverse voltage 100 600 200 400 800 1000
Maximum average forward rectified current 0.4 0.4 0.4 0.4 0.4 0.4
Peak forward surge current 35 35 35 35 35 35
Maximum instantaneous forward voltage 1 1 1 1 1 1
Maximum reverse current 5 5 5 5 5 5
TJ(℃） -55～+150 -55～+150 -55～+150 -55～+150 -55～+150 -55～+150

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