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IS61WV5128EDBLL-10BI: 产品描述Standard SRAM, 512KX8, 10ns, CMOS, PBGA36, 6 X 8 MM, MO-207, TFBGA-36; 产品类别存储存储; 文件大小363KB，共14页; 制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI )

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IS61WV5128EDBLL-10BI概述

Standard SRAM, 512KX8, 10ns, CMOS, PBGA36, 6 X 8 MM, MO-207, TFBGA-36

IS61WV5128EDBLL-10BI规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码	DSBGA
包装说明	TFBGA,
针数	36
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	10 ns
JESD-30 代码	R-PBGA-B36
长度	8 mm
内存密度	4194304 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	36
字数	524288 words
字数代码	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	512KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL
座面最大高度	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.4 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子形式	BALL
端子节距	0.75 mm
端子位置	BOTTOM
宽度	6 mm

IS61WV5128EDBLL-10BI相似产品对比

	IS61WV5128EDBLL-10BI	IS61WV5128EDBLL-10CTLI	IS64WV5128EDBLL-10CTLA1	IS61WV5128EDBLL-10CTI	IS64WV5128EDBLL-10CTA1	IS64WV5128EDBLL-10CTA3
描述	Standard SRAM, 512KX8, 10ns, CMOS, PBGA36, 6 X 8 MM, MO-207, TFBGA-36	Standard SRAM, 512KX8, 10ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-44	Standard SRAM, 512KX8, 10ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-44	Standard SRAM, 512KX8, 10ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44	512KX8 STANDARD SRAM, 10ns, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44	512KX8 STANDARD SRAM, 10ns, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
零件包装代码	DSBGA	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2
包装说明	TFBGA,	TSOP2,	TSOP2, TSOP44,.46,32	TSOP2,	0.400 INCH, TSOP2-44	0.400 INCH, TSOP2-44
针数	36	44	44	44	44	44
Reach Compliance Code	compliant	unknown	compliant	unknown	compli	compli
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	10 ns	10 ns	10 ns	10 ns	10 ns	10 ns
JESD-30 代码	R-PBGA-B36	R-PDSO-G44	R-PDSO-G44	R-PDSO-G44	R-PDSO-G44	R-PDSO-G44
长度	8 mm	18.41 mm	18.41 mm	18.41 mm	18.41 mm	18.41 mm
内存密度	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bi	4194304 bi
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	8	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	36	44	44	44	44	44
字数	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words
字数代码	512000	512000	512000	512000	512000	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	125 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	512KX8	512KX8	512KX8	512KX8	512KX8	512KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.4 V	2.4 V	2.4 V	2.4 V	2.4 V	2.4 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	AUTOMOTIVE
端子形式	BALL	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.75 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	BOTTOM	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
宽度	6 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	-	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )

IS61WV5128EDBLL-10BI

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IS61WV5128EDBLL-10BI规格参数

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