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SBT5401F

产品描述PNP Silicon Transistor
文件大小259KB,共5页
制造商KODENSHI
官网地址http://www.kodenshi.co.jp
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SBT5401F概述

PNP Silicon Transistor

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SBT5401F
PNP Silicon Transistor
Description
General purpose amplifier
High voltage application
PIN Connection
3
Features
High collector breakdown voltage :
V
CBO
= -160V, V
CEO
= -160V
Low collector saturation voltage :
V
CE(sat)
=-0.5V(MAX.)
Complementary pair with SBT5551F
1
2
SOT-23F
Ordering Information
Type NO.
SBT5401F
Marking
NFN
①Device
Code
Year&Week Code
Package Code
SOT-23F
Absolute maximum ratings
Characteristic
Collector-Base voltage
Collector-Emitter voltage
Emitter-Base voltage
Collector current
Collector dissipation
Junction temperature
Storage temperature
(Ta=25°C)
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
stg
Ratings
-160
-160
-5
-600
200
150
-55~150
Unit
V
V
V
mA
mW
°C
°C
KSD-T5C091-000
1
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