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2N3015

产品描述TRANSISTOR,BJT,NPN,30V V(BR)CEO,TO-5
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小33KB,共1页
制造商National Semiconductor(TI )
官网地址http://www.ti.com
敬请期待 详细参数 选型对比

2N3015概述

TRANSISTOR,BJT,NPN,30V V(BR)CEO,TO-5

2N3015规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Reach Compliance Codecompli
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)30
JESD-609代码e0
最高工作温度175 °C
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.8 W
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT)250 MHz
Base Number Matches1

2N3015相似产品对比

2N3015 2N3252 2N3724A 2N3253 2N3444 PN3646
描述 TRANSISTOR,BJT,NPN,30V V(BR)CEO,TO-5 TRANSISTOR,BJT,NPN,30V V(BR)CEO,1A I(C),TO-5 TRANSISTOR,BJT,NPN,30V V(BR)CEO,1.2A I(C),TO-39 TRANSISTOR,BJT,NPN,40V V(BR)CEO,1A I(C),TO-5 TRANSISTOR,BJT,NPN,50V V(BR)CEO,1A I(C),TO-5 TRANSISTOR 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, BIP General Purpose Small Signal
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code compli compli unknow unknow compli unknown
配置 Single Single Single Single Single SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 30 30 60 25 20 30
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C 200 °C 150 °C
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.8 W 1 W 1 W 1 W 1 W 0.6 W
表面贴装 NO NO NO NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT) 250 MHz 200 MHz 300 MHz 175 MHz 150 MHz 350 MHz
Base Number Matches 1 1 1 1 1 -
最大集电极电流 (IC) - 1 A 1.2 A 1 A 1 A 0.2 A

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