TRANSISTOR,BJT,NPN,30V V(BR)CEO,1A I(C),TO-5
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
Reach Compliance Code | compli |
最大集电极电流 (IC) | 1 A |
配置 | Single |
最小直流电流增益 (hFE) | 30 |
JESD-609代码 | e0 |
最高工作温度 | 175 °C |
极性/信道类型 | NPN |
最大功率耗散 (Abs) | 1 W |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
标称过渡频率 (fT) | 200 MHz |
Base Number Matches | 1 |
2N3252 | 2N3724A | 2N3253 | 2N3444 | 2N3015 | PN3646 | |
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描述 | TRANSISTOR,BJT,NPN,30V V(BR)CEO,1A I(C),TO-5 | TRANSISTOR,BJT,NPN,30V V(BR)CEO,1.2A I(C),TO-39 | TRANSISTOR,BJT,NPN,40V V(BR)CEO,1A I(C),TO-5 | TRANSISTOR,BJT,NPN,50V V(BR)CEO,1A I(C),TO-5 | TRANSISTOR,BJT,NPN,30V V(BR)CEO,TO-5 | TRANSISTOR 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, BIP General Purpose Small Signal |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
Reach Compliance Code | compli | unknow | unknow | compli | compli | unknown |
配置 | Single | Single | Single | Single | Single | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 30 | 60 | 25 | 20 | 30 | 30 |
JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 | e0 | e0 |
最高工作温度 | 175 °C | 175 °C | 175 °C | 200 °C | 175 °C | 150 °C |
极性/信道类型 | NPN | NPN | NPN | NPN | NPN | NPN |
最大功率耗散 (Abs) | 1 W | 1 W | 1 W | 1 W | 0.8 W | 0.6 W |
表面贴装 | NO | NO | NO | NO | NO | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
标称过渡频率 (fT) | 200 MHz | 300 MHz | 175 MHz | 150 MHz | 250 MHz | 350 MHz |
最大集电极电流 (IC) | 1 A | 1.2 A | 1 A | 1 A | - | 0.2 A |
Base Number Matches | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | - |
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