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SUR539J

产品描述Epitaxial planar NPN silicon transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小271KB,共5页
制造商KODENSHI
官网地址http://www.kodenshi.co.jp
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SUR539J概述

Epitaxial planar NPN silicon transistor

SUR539J规格参数

参数名称属性值
厂商名称KODENSHI
包装说明,
Reach Compliance Codeunknow
最大集电极电流 (IC)0.1 A
最小直流电流增益 (hFE)70
元件数量2
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.625 W
表面贴装YES
晶体管元件材料SILICON

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SUR539J
Epitaxial planar NPN silicon transistor
Description
Dual chip digital transistor
Features
Two SRC1203 chips in SOT-363 package
Simplify circuit design
Reduce a quantity of parts and manufacturing process
Package : SOT-363
Ordering Information
Type NO.
SUR539J
Marking
HOH
Package Code
SOT-363
: Year & Week Code
Equivalent circuit & PIN Connections
Equivalent Circuit
3
2
R2
1
R
1
R1
R
2
22KΩ
22KΩ
Tr2
R2
R1
Tr1
Tr1
Tr2
22KΩ
22KΩ
PIN Connections
1. COMMON 1
2. IN 1
3. OUT 2
4. COMMON 2
5. IN 2
6. OUT 1
4
5
6
Absolute Maximum Ratings
[ Tr1,Tr2 ]
Characteristic
Output voltage
Input voltage
Output current
Power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
※:
Total rating
(Ta=25°C)
Symbol
V
O
V
I
I
O
P
D
T
J
T
stg
Rating
50
40,-10
100
200
150
-55 ~ 150
Unit
V
V
mA
mW
°C
°C
KSD-R5S007-001
1

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