MB85227-15PDPB概述

Page Mode DRAM, 256KX9, 150ns, MOS, PSMA30

MB85227-15PDPB规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	FUJITSU(富士通)
零件包装代码	SIMM
包装说明	SIMM, SIM30
针数	30
Reach Compliance Code	unknown
最长访问时间	150 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PSMA-N30
内存密度	2359296 bit
内存集成电路类型	PAGE MODE DRAM
内存宽度	9
端子数量	30
字数	262144 words
字数代码	256000
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	256KX9
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SIMM
封装等效代码	SIM30
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	256
座面最大高度	16.764 mm
最大压摆率	0.513 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	MOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD
端子节距	2.54 mm
端子位置	SINGLE

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MB85227-15PDPB相似产品对比

	MB85227-15PDPB	MB85227-12PDPB	MB85227-15PDPS	MB85227-10PDPS	MB85227-12PDPS
描述	Page Mode DRAM, 256KX9, 150ns, MOS, PSMA30	Page Mode DRAM, 256KX9, 120ns, MOS, PSMA30	Page Mode DRAM, 256KX9, 150ns, MOS	Page Mode DRAM, 256KX9, 100ns, MOS	DRAM Module, 256KX9, 120ns, CMOS, SIMM-30
包装说明	SIMM, SIM30	SIMM, SIM30	, SIP30,.2	, SIP30,.2	,
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
最长访问时间	150 ns	120 ns	150 ns	100 ns	120 ns
内存密度	2359296 bit	2359296 bit	2359296 bit	2359296 bit	2359296 bit
内存集成电路类型	PAGE MODE DRAM	PAGE MODE DRAM	PAGE MODE DRAM	PAGE MODE DRAM	DRAM MODULE
内存宽度	9	9	9	9	9
端子数量	30	30	30	30	30
字数	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words
字数代码	256000	256000	256000	256000	256000
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	256KX9	256KX9	256KX9	256KX9	256KX9
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	UNSPECIFIED
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO
技术	MOS	MOS	MOS	MOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
厂商名称	FUJITSU(富士通)	FUJITSU(富士通)	FUJITSU(富士通)	FUJITSU(富士通)	-
零件包装代码	SIMM	SIMM	SIMM	SIMM	-
针数	30	30	30	30	-
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	-
JESD-30 代码	R-PSMA-N30	R-PSMA-N30	-	-	R-XSMA-T30
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	-
封装等效代码	SIM30	SIM30	SIP30,.2	SIP30,.2	-
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	-	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	-	-	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	-
刷新周期	256	256	256	256	-
座面最大高度	16.764 mm	16.764 mm	17.018 mm	17.018 mm	-
最大压摆率	0.513 mA	0.585 mA	0.513 mA	0.63 mA	-
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	-	-	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	-

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