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MB85227-15PDPS

产品描述Page Mode DRAM, 256KX9, 150ns, MOS
产品类别存储    存储   
文件大小353KB,共14页
制造商FUJITSU(富士通)
官网地址http://edevice.fujitsu.com/fmd/en/index.html
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MB85227-15PDPS概述

Page Mode DRAM, 256KX9, 150ns, MOS

MB85227-15PDPS规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称FUJITSU(富士通)
零件包装代码SIMM
包装说明, SIP30,.2
针数30
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间150 ns
I/O 类型COMMON
JESD-609代码e0
内存密度2359296 bit
内存集成电路类型PAGE MODE DRAM
内存宽度9
端子数量30
字数262144 words
字数代码256000
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织256KX9
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装等效代码SIP30,.2
电源5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期256
座面最大高度17.018 mm
最大压摆率0.513 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术MOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子节距2.54 mm
端子位置SINGLE

MB85227-15PDPS相似产品对比

MB85227-15PDPS MB85227-12PDPB MB85227-10PDPS MB85227-15PDPB MB85227-12PDPS
描述 Page Mode DRAM, 256KX9, 150ns, MOS Page Mode DRAM, 256KX9, 120ns, MOS, PSMA30 Page Mode DRAM, 256KX9, 100ns, MOS Page Mode DRAM, 256KX9, 150ns, MOS, PSMA30 DRAM Module, 256KX9, 120ns, CMOS, SIMM-30
包装说明 , SIP30,.2 SIMM, SIM30 , SIP30,.2 SIMM, SIM30 ,
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown
最长访问时间 150 ns 120 ns 100 ns 150 ns 120 ns
内存密度 2359296 bit 2359296 bit 2359296 bit 2359296 bit 2359296 bit
内存集成电路类型 PAGE MODE DRAM PAGE MODE DRAM PAGE MODE DRAM PAGE MODE DRAM DRAM MODULE
内存宽度 9 9 9 9 9
端子数量 30 30 30 30 30
字数 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words
字数代码 256000 256000 256000 256000 256000
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 256KX9 256KX9 256KX9 256KX9 256KX9
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY UNSPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO NO NO
技术 MOS MOS MOS MOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
厂商名称 FUJITSU(富士通) FUJITSU(富士通) FUJITSU(富士通) FUJITSU(富士通) -
零件包装代码 SIMM SIMM SIMM SIMM -
针数 30 30 30 30 -
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON -
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE -
封装等效代码 SIP30,.2 SIM30 SIP30,.2 SIM30 -
电源 5 V 5 V 5 V 5 V -
刷新周期 256 256 256 256 -
座面最大高度 17.018 mm 16.764 mm 17.018 mm 16.764 mm -
最大压摆率 0.513 mA 0.585 mA 0.63 mA 0.513 mA -
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm -
JESD-30 代码 - R-PSMA-N30 - R-PSMA-N30 R-XSMA-T30
封装形状 - RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 - MICROELECTRONIC ASSEMBLY - MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
端子形式 - NO LEAD - NO LEAD THROUGH-HOLE
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