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2SK4113

产品描述TRANSISTOR 5 A, 900 V, 2.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SC-67, 3 PIN, FET General Purpose Power
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小204KB,共6页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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2SK4113概述

TRANSISTOR 5 A, 900 V, 2.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SC-67, 3 PIN, FET General Purpose Power

2SK4113规格参数

参数名称属性值
零件包装代码SC-67
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
雪崩能效等级(Eas)595 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压900 V
最大漏极电流 (ID)5 A
最大漏源导通电阻2.5 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSIP-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)15 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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