电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

BUW85

产品描述Transistor,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小356KB,共9页
制造商North American Philips Discrete Products Div
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

BUW85概述

Transistor,

BUW85规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称North American Philips Discrete Products Div
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)2 A
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)20
JESD-609代码e0
最高工作温度150 °C
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)50 W
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)

BUW85相似产品对比

BUW85 BUW84
描述 Transistor, Transistor,
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 North American Philips Discrete Products Div North American Philips Discrete Products Div
Reach Compliance Code unknown unknown
最大集电极电流 (IC) 2 A 2 A
配置 Single Single
最小直流电流增益 (hFE) 20 20
JESD-609代码 e0 e0
最高工作温度 150 °C 150 °C
极性/信道类型 NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 50 W 50 W
表面贴装 NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)

推荐资源

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 76  154  701  1326  1399 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved