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BSV80

产品描述Transistor,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小321KB,共8页
制造商North American Philips Discrete Products Div
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BSV80概述

Transistor,

BSV80规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称North American Philips Discrete Products Div
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
FET 技术JUNCTION
JESD-609代码e0
最高工作温度175 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)0.35 W
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)

BSV80相似产品对比

BSV80 BSV78 BSV79
描述 Transistor, Transistor, Transistor,
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
FET 技术 JUNCTION JUNCTION JUNCTION
JESD-609代码 e0 e0 e0
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 0.35 W 0.35 W 0.35 W
表面贴装 NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
厂商名称 North American Philips Discrete Products Div - North American Philips Discrete Products Div

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