Transistor,
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
包装说明 | , |
Reach Compliance Code | unknown |
FET 技术 | JUNCTION |
JESD-609代码 | e0 |
最高工作温度 | 175 °C |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 0.35 W |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
Base Number Matches | 1 |
BSV78 | BSV79 | BSV80 | |
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描述 | Transistor, | Transistor, | Transistor, |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown |
FET 技术 | JUNCTION | JUNCTION | JUNCTION |
JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 |
最高工作温度 | 175 °C | 175 °C | 175 °C |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 0.35 W | 0.35 W | 0.35 W |
表面贴装 | NO | NO | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
厂商名称 | - | North American Philips Discrete Products Div | North American Philips Discrete Products Div |
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