Standard SRAM, 256KX24, 15ns, CMOS, PBGA119, BGA-119
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | White Microelectronics |
包装说明 | BGA-119 |
Reach Compliance Code | unknown |
最长访问时间 | 15 ns |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B119 |
内存密度 | 6291456 bit |
内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
内存宽度 | 24 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 119 |
字数 | 262144 words |
字数代码 | 256000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 256KX24 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY |
并行/串行 | PARALLEL |
认证状态 | Not Qualified |
最大供电电压 (Vsup) | 3.465 V |
最小供电电压 (Vsup) | 3.135 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子形式 | BALL |
端子位置 | BOTTOM |
WED8L24257V15BI | WED8L24257V12BI | WED8L24257V10BC | WED8L24257V12BC | WED8L24257V15BC | |
---|---|---|---|---|---|
描述 | Standard SRAM, 256KX24, 15ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 | Standard SRAM, 256KX24, 12ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 | Standard SRAM, 256KX24, 10ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 | Standard SRAM, 256KX24, 12ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 | Standard SRAM, 256KX24, 15ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 |
厂商名称 | White Microelectronics | White Microelectronics | White Microelectronics | White Microelectronics | White Microelectronics |
包装说明 | BGA-119 | BGA-119 | BGA-119 | BGA-119 | BGA-119 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown | unknown |
最长访问时间 | 15 ns | 12 ns | 10 ns | 12 ns | 15 ns |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B119 | R-PBGA-B119 | R-PBGA-B119 | R-PBGA-B119 | R-PBGA-B119 |
内存密度 | 6291456 bit | 6291456 bit | 6291456 bit | 6291456 bit | 6291456 bit |
内存集成电路类型 | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM |
内存宽度 | 24 | 24 | 24 | 24 | 24 |
功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 119 | 119 | 119 | 119 | 119 |
字数 | 262144 words | 262144 words | 262144 words | 262144 words | 262144 words |
字数代码 | 256000 | 256000 | 256000 | 256000 | 256000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
组织 | 256KX24 | 256KX24 | 256KX24 | 256KX24 | 256KX24 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY | GRID ARRAY | GRID ARRAY | GRID ARRAY | GRID ARRAY |
并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
最大供电电压 (Vsup) | 3.465 V | 3.465 V | 3.465 V | 3.465 V | 3.465 V |
最小供电电压 (Vsup) | 3.135 V | 3.135 V | 3.135 V | 3.135 V | 3.135 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V |
表面贴装 | YES | YES | YES | YES | YES |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
端子形式 | BALL | BALL | BALL | BALL | BALL |
端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved