ＩＧＢＴ
Ｍ½½½½½
－
Ｃ½½½½½½
□ 回 路 図 ：
ＣＩＲＣＵＩＴ
７５ Ａ，１２００Ｖ
ＰＲＨＭＢ７５Ｂ１２
□ 外 ½ 寸 法 図 ：
ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ
12
1
94
80
± 0 .2 5
11 12 11
2
12
3
7
6
2-Ø 5.5
4
12
(C2E1)
1
(E2)
2
(C1)
3
7(G2)
6(E2)
3-M5
23
23
17
16
7
16
7
16
4-fasten tab
#110 t= 0.5
8
30
+1 .0
- 0 .5
LABEL
6
23
35
Dimension:［mm½
□ 最 大 定 格 ：
ＭＡＸＩＭＵＭ
コレクタ・エミッタ間電圧
Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage
ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧
Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage
コ レ ク タ 電 流
Ｃollector Ｃurrent
コ レ ク タ 損 失
Ｃollector Ｐower Ｄissipation
接
合
温
度
Ｊunction Ｔemperature Ｒange
保
存
温
度
Ｓtorage Ｔemperature Ｒange
絶
縁
耐
圧(Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１½inute)
Ｉsolation Ｖoltage
Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink
締 め 付 け ト ル ク
Ｍounting Ｔorque
Ｂusbar to Ｍain Ｔerminal
□ 電 気 的 特 性
ＤＣ
１½½
ＲＡＴＩＮＧＳ
（Ｔ
Ｃ
＝２５℃）
Ｓ½½½½½
Ｖ
ＣＥＳ
Ｖ
ＧＥＳ
Ｉ
Ｃ
Ｉ
ＣＰ
Ｐ
Ｃ
Ｔ
½
Ｔ
½½½
Ｖ
ＩＳＯ
Ｆ
½½½
Ｒ½½½½ Ｖ½½½½
１，２００
±２０
７５
１５０
４００
－４０½＋１５０
－４０½＋１２５
２,５００
２（２０.４）
Ｕ½½½
Ｖ
Ｖ
Ａ
Ｗ
℃
℃
Ｖ
（ＲＭＳ）
Ｎ・½
(kgf½cm)
Ｉ½½½
：
ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ
（Ｔ
Ｃ
＝２５℃）
Ｓ½½½½½
Ｉ
ＣＥＳ
Ｉ
ＧＥＳ
Ｖ
ＣＥ（½½½）
Ｖ
ＧＥ（½½）
Ｃ
½½½
上 昇 時 間
ターンオン時間
下 降 時 間
ターンオフ時間
Ｒise
Ｔurn-on
Ｆall
Ｔurn-off
Ｔime
Ｔime
Ｔime
Ｔime
½
½
½
½½
½
½
½
½½½
Ｔ½½½ Ｃ½½½½½½½½
Ｖ
ＣＥ
= 1200V,Ｖ
ＧＥ
= 0V
Ｖ
ＧＥ
= ±20V,Ｖ
ＣＥ
= 0V
Ｉ
Ｃ
= 75A,Ｖ
ＧＥ
= 15V
Ｖ
ＣＥ
= 5V,Ｉ
Ｃ
= 75mA
Ｖ
ＣＥ
= 10V,Ｖ
ＧＥ
= 0V,½= 1MH
Ｚ
Ｖ
ＣＣ
= 600V
Ｒ
L
= 8Ω
Ｒ
G
= 13Ω
Ｖ
ＧＥ
= ±15V
Ｍ½½.
－
－
－
４.０
－
－
－
－
－
Ｔ½½.
－
－
１.９
－
6,300
０.２５
０.４０
０.２５
０.８０
Ｍ½½.
２.０
１.０
２.４
８.０
－
０.４５
０.７０
０.３５
１.１０
Ｕ½½½
½Ａ
μＡ
Ｖ
Ｖ
½Ｆ
Ｃ½½½½½½½½½½½½½
コ レ ク タ 遮 断 電 流
Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent
ゲ ー ト 漏 れ 電 流
Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent
コレクタ・エミッタ間½和電圧
Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage
ゲ ー ト し き い 値 電 圧
Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage
入
力
容
量
Ｉnput Ｃapacitance
スイッチング時間
Ｓwitching Ｔime
μ½
□フリーホイーリングダイオードの 特 性：
ＦＲＥＥ
Ｉ½½½
順
電
流
Ｆorward Ｃurrent
Ｃ½½½½½½½½½½½½½
順
電
圧
Ｐeak Ｆorward Ｖoltage
逆 回 復 時 間
Ｒeverse Ｒecovery Ｔime
□ 熱
的
特 性
ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ
（Ｔ
Ｃ
＝２５℃）
Ｓ½½½½½
Ｉ
Ｆ
Ｉ
ＦＭ
Ｓ½½½½½
Ｖ
Ｆ
½
½½
Ｒ½½½½ Ｖ½½½½
７５
１５０
Ｔ½½½ Ｃ½½½½½½½½
Ｉ
Ｆ
= 75A,Ｖ
ＧＥ
= 0V
Ｉ
Ｆ
= 75A,Ｖ
ＧＥ
= -10V
½i/½t= 150A/μs
Ｍ½½.
－
－
Ｔ½½.
１.９
０.２
Ｍ½½.
２.４
０.３
Ｕ½½½
Ａ
ＤＣ
１½½
Ｕ½½½
Ｖ
μ½
：
ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ
Ｓ½½½½½
Ｒth(j-c)
Ｔ½½½ Ｃ½½½½½½½½
Junction to Case
Ｍ½½.
－
－
Ｔ½½.
－
－
Ｍ½½.
０.３
０.６
Ｕ½½½
℃／Ｗ
Ｃ½½½½½½½½½½½½½
熱
抵
抗
ＩＧＢＴ
Ｔhermal Ｉmpedance
Ｄiode
日本インター株式会社
ＰＲＨＭＢ７５Ｂ１２
Fig.1- Output Characteristics
(Typical)
150
Fig.2- Collector to Emitter On Voltage
vs. Gate to Emitter Voltage
(Typical)
T
C
=25℃
16
T
C
=25℃
I
C
=30A
150A
V
GE
=20V
15V
125
12V
10V
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
14
12
10
8
6
4
2
0
75A
Collector Current I
C
(A)
100
9V
75
50
8V
25
7V
0
0
2
4
6
8
10
0
4
8
12
16
20
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
Gate to Emitter Voltage V
GE
(V)
Fig.3- Collector to Emitter On Voltage
vs. Gate to Emitter Voltage
(Typical)
16
Fig.4- Gate Charge vs. Collector to Emitter Voltage
(Typical)
800
700
600
500
400
16
T
C
=125℃
I
C
=30A
150A
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
14
R
L
=8Ω
T
C
=25℃
14
Gate to Emitter Voltage V
GE
(V)
75A
12
10
8
6
4
2
0
12
10
8
V
CE
=600V
300
6
400V
200
100
0
0
100
200
300
400
500
600
200V
4
2
0
0
4
8
12
16
20
Gate to Emitter Voltage V
GE
(V)
Total Gate Charge Qg
(nC)
Fig.5- Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage
(Typical)
50000
20000
10000
Fig.6- Collector Current vs. Switching Time
(Typical)
1.6
1.4
1.2
V
GE
=0V
f=1MH
Z
T
C
=25℃
Cies
V
CC
=600V
R
G
=13Ω
V
GE
=±15V
T
C
=25℃
Switching Time t
(μs)
Capacitance C
(pF)
5000
2000
1000
500
200
100
50
20
t
OFF
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
25
50
75
Coes
t
f
Cres
t
ON
t
r
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
Collector Current I
C
(A)
日本インター株式会社
ＰＲＨＭＢ７５Ｂ１２
Fig.8- Forward Characteristics of Free Wheeling Diode
Fig.7- Series Gate Impedance vs. Switching Time
(Typical)
10
5
(Typical)
150
V
CC
=600V
I
C
=75A
V
GE
=±15V
T
C
=25℃
T
C
=25℃
T
C
=125℃
toff
125
Switching Time t
(μs)
Forward Current I
F
(A)
2
1
0.5
ton
tr
100
75
tf
0.2
0.1
0.05
50
25
0.02
5
10
20
50
100
200
0
0
1
2
3
4
Series Gate Impedance R
G
(Ω)
Forward Voltage V
F
(V)
Fig.9- Reverse Recovery Characteristics
(Typical)
500
500
Fig.10- Reverse Bias Safe Operating Area
R
G
=13Ω
V
GE
=±15V
T
C
≦125℃
Peak Reverse Recovery Current I
RrM
(A)
Reverse Recovery Time trr
(ns)
I
F
=75A
T
C
=25℃
200
200
100
trr
50
Collector Current I
C
(A)
I
RrM
0
150
300
450
100
50
20
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0
400
800
1200
1600
20
10
5
2
1
-di/dt
(A/μs)
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
fig11-Tansient Thermal Impedance
5
Tansient Thermal Impedance Rth
(J-C)
(ﾟC/W)
2
1
5x10
2x10
-1
FRD
IGBT
-1
-1
1x10
5x10
2x10
1x10
-2
-2
-2
Tc=25℃
1 Shot Pulse
5x10
-3
2x10
-3
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
1
Time t
（s）
日本インター株式会社
Microchip MCU
京公网安备 11010802033920号
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