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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> TSM4N60CHC5G
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TSM4N60CHC5G

产品描述600V N-Channel Power MOSFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小343KB，共11页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
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TSM4N60CHC5G概述

600V N-Channel Power MOSFET

TSM4N60CHC5G规格参数

参数名称属性值
厂商名称Taiwan Semiconductor
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Codecompli
雪崩能效等级（Eas）120 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压600 V
最大漏极电流 (ID)4 A
最大漏源导通电阻2.5 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-251
JESD-30 代码R-PSIP-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)16 A
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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TSM4N60
600V N-Channel Power MOSFET
TO-220
ITO-220
TO-251
(IPAK)
TO-252
(DPAK)
Pin Definition:
1. Gate
2. Drain
3. Source
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
600
R
DS(on)
( )
2.5 @ V
GS
=10V
I
D
(A)
2
General Description
The TSM4N60 is produced using advanced planar stripe, DMOS technology. This latest technology has been
especially designed to minimize on-state resistance, have a high rugged avalanche characteristics. There
devices are well suited for high efficiency switch mode power supplies, active power factor correction, electronic
lamp ballasts base on half bridge topology.
Features
●
●
●
●
Robust high voltage termination
Avalanche energy specified
Diode is characterized for use in bridge circuits
Source to Drain diode recovery time comparable to a
discrete fast recovery diode.
Block Diagram
Ordering Information
Part No.
Package
Packing
50pcs / Tube
50pcs / Tube
50pcs / Tube
50pcs / Tube
75pcs / Tube
75pcs / Tube
2.5Kpcs / 13” Reel
2.5Kpcs / 13” Reel
TSM4N60CZ C0
TO-220
TSM4N60CZ C0G
TO-220
TSM4N60CI C0
ITO-220
TSM4N60CI C0G
ITO-220
TSM4N60CH C5
TO-251
TSM4N60CH C5G
TO-251
TSM4N60CP RO
TO-252
TSM4N60CP ROG
TO-252
Note: “G” denotes for Halogen Free
N-Channel MOSFET
Absolute Maximum Rating
(Ta = 25
o
C unless otherwise noted)
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current
Single Pulse Drain to Source Avalanche Energy (note c)
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive (note d)
Peak Diode Recovery dv/dt (note e)
Total Power Dissipation
@T
C
= 25 C
Operating Junction Temperature
Operating Junction and Storage Temperature Range
o
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
EAS
IAR
dv/dt
TO-220 / TO-251 / TO-252
ITO-220
P
TOT
T
J
T
J
, T
STG
Limit
600
±30
4
16
120
10
4.5
70
25
+150
-55 to +150
Unit
V
V
A
A
mJ
mJ
V/ns
W
o
o
C
C
1/11
Version: D10

TSM4N60CHC5G相似产品对比

TSM4N60CHC5G TSM4N60CIC0G TSM4N60CPROG TSM4N60CZC0G TSM4N60_10
描述 600V N-Channel Power MOSFET 600V N-Channel Power MOSFET 600V N-Channel Power MOSFET 600V N-Channel Power MOSFET 600V N-Channel Power MOSFET
厂商名称 Taiwan Semiconductor Taiwan Semiconductor Taiwan Semiconductor Taiwan Semiconductor -
包装说明 IN-LINE, R-PSIP-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 -
Reach Compliance Code compli compli compli compli -
雪崩能效等级（Eas） 120 mJ 120 mJ 120 mJ 120 mJ -
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE -
最小漏源击穿电压 600 V 600 V 600 V 600 V -
最大漏极电流 (ID) 4 A 4 A 4 A 4 A -
最大漏源导通电阻 2.5 Ω 2.5 Ω 2.5 Ω 2.5 Ω -
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR -
JEDEC-95代码 TO-251 TO-220AB TO-252 TO-220AB -
JESD-30 代码 R-PSIP-T3 R-PSFM-T3 R-PSSO-G2 R-PSFM-T3 -
元件数量 1 1 1 1 -
端子数量 3 3 2 3 -
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 IN-LINE FLANGE MOUNT SMALL OUTLINE FLANGE MOUNT -
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL -
最大脉冲漏极电流 (IDM) 16 A 16 A 16 A 16 A -
表面贴装 NO NO YES NO -
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE GULL WING THROUGH-HOLE -
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE -
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING -
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON -

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