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5KP30

产品描述5000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小103KB,共4页
制造商DIOTEC
官网地址http://www.diotec.com/
标准
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5KP30概述

5000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE

5KP30规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称DIOTEC
包装说明O-PALF-W2
针数2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大击穿电压42.2 V
最小击穿电压33.3 V
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码O-PALF-W2
湿度敏感等级1
最大非重复峰值反向功率耗散5000 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-50 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)260
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散8 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压30 V
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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5KP6.5 ... 5KP110CA
5KP6.5 ... 5KP110CA
Unidirectional and Bidirectional Transient Voltage Suppressor Diodes
Unidirectionale und bidirectional Spannungs-Begrenzer-Dioden
Version 2011-10-28
Peak pulse power dissipation
Maximale Verlustleistung
Ø
8
±0.1
5000 W
6.5...110 V
Ø 8 x 7.5 [mm]
1.5 g
Maximum stand-off voltage
Maximale Sperrspannung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx.
Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
62.5
±0.5
Ø
1.2
±0.05
Dimensions - Maße [mm]
For bidirectional types (add suffix “C” or “CA”), electrical characteristics apply in both directions.
Für bidirektionale Dioden (ergänze Suffix “C” oder “CA”) gelten die elektrischen Werte in beiden Richtungen.
Maximum ratings and Characteristics
Peak pulse power dissipation (10/1000 µs waveform)
Impuls-Verlustleistung (Strom-Impuls 10/1000 µs)
Steady state power dissipation
Verlustleistung im Dauerbetrieb
Peak forward surge current, 60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 60 Hz Sinus-Halbwelle
Max. instantaneous forward voltage
Augenblickswert der Durchlaßspannung
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Thermal resistance junction to terminal
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss
T
A
= 25°C
T
A
= 50°C
T
A
= 25°C
I
F
= 100A
7,5
Type
±0.1
Grenz- und Kennwerte
P
PPM
P
M(AV)
I
FSM
V
F
T
j
T
S
R
thA
R
thT
5000 W
1
)
8 W
2
)
400 A
3
)
< 3.5 V
3
)
-50...+175°C
-50...+175°C
< 16 K/W
2
)
< 4 K/W
1
2
3
Non-repetitive pulse see curve I
PP
= f (t
r
) / P
PP
= f (t
r
)
Höchstzulässiger Spitzenwert eines einmaligen Impulses, siehe Kurve I
PP
= f (t
r
) / P
PP
= f (t
r
)
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
Unidirectional diodes only – Nur für unidirektionale Dioden
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
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