Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> 25ETS12STRRPBF

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25ETS12STRRPBF: 产品描述25 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小155KB，共7页; 制造商Vishay(威世); 官网地址http://www.vishay.com; 标准

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25ETS12STRRPBF概述

25 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

25ETS12STRRPBF规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	TO-263
包装说明	R-PSSO-G2
针数	3
Reach Compliance Code	unknow
应用	HIGH VOLTAGE HIGH POWER
外壳连接	CATHODE
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1.14 V
JESD-30 代码	R-PSSO-G2
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
最大非重复峰值正向电流	300 A
元件数量	1
相数	1
端子数量	2
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-40 °C
最大输出电流	25 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
认证状态	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	1200 V
表面贴装	YES
端子面层	MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	30
Base Number Matches	1

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VS-25ETS..SPbF High Voltage Series

Vishay High Power Products

Input Rectifier Diode, 25 A

Base

cathode

DESCRIPTION/FEATURES

The VS-25ETS..SPbF rectifier High Voltage Series

has been optimized for very low forward

voltage drop, with moderate leakage. The glass

passivation technology used has reliable

operation up to 150 °C junction temperature.

Typical applications are in input rectification and

these products are designed to be used with

Vishay HPP switches and output rectifiers which

are available in identical package outlines.

• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of

260 °C

• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC

• Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition

• Designed and qualified for industrial level

PAK

Anode

PRODUCT SUMMARY

at 10 A

FSM

RRM

<1V

300 A

800 V to 1200 V

OUTPUT CURRENT IN TYPICAL APPLICATIONS

APPLICATIONS

Capacitive input filter T

= 55 °C, T

= 125 °C

common heatsink of 1 °C/W

SINGLE-PHASE BRIDGE

THREE-PHASE BRIDGE

UNITS

MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS

SYMBOL

F(AV)

RRM

FSM

10 A, T

= 25 °C

CHARACTERISTICS

Sinusoidal waveform

VALUES

800 to 1200

300

1.0

- 40 to 150

UNITS

°C

VOLTAGE RATINGS

PART NUMBER

VS-25ETS08SPbF

VS-25ETS10SPbF

VS-25ETS12SPbF

RRM

, MAXIMUM PEAK

REVERSE VOLTAGE

800

1000

1200

RSM

, MAXIMUM NON-REPETITIVE

PEAK REVERSE VOLTAGE

900

1100

1300

RRM

AT 150 °C

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

PARAMETER

Maximum average forward current

Maximum peak one cycle

non-repetitive surge current

Maximum I

t for fusing

Maximum I

√t

for fusing

SYMBOL

F(AV)

FSM

√t

TEST CONDITIONS

= 106 °C, 180° conduction half sine wave

10 ms sine pulse, rated V

RRM

applied

10 ms sine pulse, no voltage reapplied

10 ms sine pulse, rated V

RRM

applied

10 ms sine pulse, no voltage reapplied

t = 0.1 ms to 10 ms, no voltage reapplied

VALUES

250

300

316

442

4420

√s

UNITS

Document Number: 94342

Revision: 09-Apr-10

For technical questions, contact:

diodestech@vishay.com

www.vishay.com

25ETS12STRRPBF相似产品对比

	25ETS12STRRPBF	25ETS08SPBF	25ETS08STRLPBF	25ETS08STRRPBF	25ETS10SPBF	25ETS10STRLPBF	25ETS10STRRPBF	25ETS12SPBF	25ETS12STRLPBF
描述	25 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE	25 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE	25 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE	25 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE	25 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE	25 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE	25 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE	25 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE	25 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合
零件包装代码	TO-263	TO-263	TO-263	TO-263	TO-263	TO-263	TO-263	TO-263	TO-263
包装说明	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2
针数	3	3	3	3	3	3	3	3	3
Reach Compliance Code	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow
应用	HIGH VOLTAGE HIGH POWER	HIGH VOLTAGE HIGH POWER	HIGH VOLTAGE HIGH POWER	HIGH VOLTAGE HIGH POWER	HIGH VOLTAGE HIGH POWER	HIGH VOLTAGE HIGH POWER	HIGH VOLTAGE HIGH POWER	HIGH VOLTAGE HIGH POWER	HIGH VOLTAGE HIGH POWER
外壳连接	CATHODE	CATHODE	CATHODE	CATHODE	CATHODE	CATHODE	CATHODE	CATHODE	CATHODE
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
二极管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1.14 V	1.14 V	1.14 V	1.14 V	1.14 V	1.14 V	1.14 V	1.14 V	1.14 V
JESD-30 代码	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2
湿度敏感等级	1	1	1	1	1	1	1	1	1
最大非重复峰值正向电流	300 A	300 A	300 A	300 A	300 A	300 A	300 A	300 A	300 A
元件数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1
相数	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	2	2	2	2	2	2	2	2	2
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
最大输出电流	25 A	25 A	25 A	25 A	25 A	25 A	25 A	25 A	25 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	260	260	260	260	260	260
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	1200 V	800 V	800 V	800 V	1000 V	1000 V	1000 V	1200 V	1200 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
端子面层	MATTE TIN OVER NICKEL	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrie	MATTE TIN OVER NICKEL	MATTE TIN OVER NICKEL	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrie	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrie	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrie	NOT SPECIFIED	MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	30	10	30	30	10	10	10	30	30
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	1	1	1
JESD-609代码	e3	e3	e3	e3	e3	e3	e3	-	e3
ECCN代码	-	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	-	-

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