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25ETS10STRLPBF

产品描述25 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小155KB,共7页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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25ETS10STRLPBF概述

25 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

25ETS10STRLPBF规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
零件包装代码TO-263
包装说明R-PSSO-G2
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
应用HIGH VOLTAGE HIGH POWER
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.14 V
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流300 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-40 °C
最大输出电流25 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压1000 V
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrie
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间10
Base Number Matches1

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VS-25ETS..SPbF High Voltage Series
Vishay High Power Products
Input Rectifier Diode, 25 A
Base
cathode
2
DESCRIPTION/FEATURES
The VS-25ETS..SPbF rectifier High Voltage Series
has been optimized for very low forward
voltage drop, with moderate leakage. The glass
passivation technology used has reliable
operation up to 150 °C junction temperature.
Typical applications are in input rectification and
these products are designed to be used with
Vishay HPP switches and output rectifiers which
are available in identical package outlines.
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of
260 °C
• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC
• Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
• Designed and qualified for industrial level
D
2
PAK
1
Anode
3
Anode
PRODUCT SUMMARY
V
F
at 10 A
I
FSM
V
RRM
<1V
300 A
800 V to 1200 V
OUTPUT CURRENT IN TYPICAL APPLICATIONS
APPLICATIONS
Capacitive input filter T
A
= 55 °C, T
J
= 125 °C
common heatsink of 1 °C/W
SINGLE-PHASE BRIDGE
20
THREE-PHASE BRIDGE
23
UNITS
A
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS
SYMBOL
I
F(AV)
V
RRM
I
FSM
V
F
T
J
10 A, T
J
= 25 °C
CHARACTERISTICS
Sinusoidal waveform
VALUES
25
800 to 1200
300
1.0
- 40 to 150
UNITS
A
V
A
V
°C
VOLTAGE RATINGS
PART NUMBER
VS-25ETS08SPbF
VS-25ETS10SPbF
VS-25ETS12SPbF
V
RRM
, MAXIMUM PEAK
REVERSE VOLTAGE
V
800
1000
1200
V
RSM
, MAXIMUM NON-REPETITIVE
PEAK REVERSE VOLTAGE
V
900
1100
1300
1
I
RRM
AT 150 °C
mA
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
PARAMETER
Maximum average forward current
Maximum peak one cycle
non-repetitive surge current
Maximum I
2
t for fusing
Maximum I
2
√t
for fusing
SYMBOL
I
F(AV)
I
FSM
I
2
t
I
2
√t
TEST CONDITIONS
T
C
= 106 °C, 180° conduction half sine wave
10 ms sine pulse, rated V
RRM
applied
10 ms sine pulse, no voltage reapplied
10 ms sine pulse, rated V
RRM
applied
10 ms sine pulse, no voltage reapplied
t = 0.1 ms to 10 ms, no voltage reapplied
VALUES
25
250
300
316
442
4420
A
2
s
A
2
√s
A
UNITS
Document Number: 94342
Revision: 09-Apr-10
For technical questions, contact:
diodestech@vishay.com
www.vishay.com
1

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描述 25 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 25 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 25 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 25 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 25 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 25 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 25 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 25 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 25 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合
零件包装代码 TO-263 TO-263 TO-263 TO-263 TO-263 TO-263 TO-263 TO-263 TO-263
包装说明 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
针数 3 3 3 3 3 3 3 3 3
Reach Compliance Code unknow unknow unknow unknow unknow unknow unknow unknow unknow
应用 HIGH VOLTAGE HIGH POWER HIGH VOLTAGE HIGH POWER HIGH VOLTAGE HIGH POWER HIGH VOLTAGE HIGH POWER HIGH VOLTAGE HIGH POWER HIGH VOLTAGE HIGH POWER HIGH VOLTAGE HIGH POWER HIGH VOLTAGE HIGH POWER HIGH VOLTAGE HIGH POWER
外壳连接 CATHODE CATHODE CATHODE CATHODE CATHODE CATHODE CATHODE CATHODE CATHODE
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.14 V 1.14 V 1.14 V 1.14 V 1.14 V 1.14 V 1.14 V 1.14 V 1.14 V
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
湿度敏感等级 1 1 1 1 1 1 1 1 1
最大非重复峰值正向电流 300 A 300 A 300 A 300 A 300 A 300 A 300 A 300 A 300 A
元件数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1
相数 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2 2 2 2 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
最大输出电流 25 A 25 A 25 A 25 A 25 A 25 A 25 A 25 A 25 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260 260 260 260 260 260 260
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 1000 V 800 V 800 V 800 V 1000 V 1000 V 1200 V 1200 V 1200 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES YES
端子面层 Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrie Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrie MATTE TIN OVER NICKEL MATTE TIN OVER NICKEL Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrie Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrie NOT SPECIFIED MATTE TIN OVER NICKEL MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 10 10 30 30 10 10 30 30 30
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1 1 1 1
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 - - -
JESD-609代码 e3 e3 e3 e3 e3 e3 - e3 e3
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