Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> SIHLZ44S-GE3

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SIHLZ44S-GE3: 产品描述50 A, 60 V, 0.028 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小443KB，共9页; 制造商Vishay(威世); 官网地址http://www.vishay.com; 标准

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SIHLZ44S-GE3概述

50 A, 60 V, 0.028 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB

50 A, 60 V, 0.028 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-263AB

SIHLZ44S-GE3规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Vishay(威世)
零件包装代码	D2PAK
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数	4
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
其他特性	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）	400 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	50 A
最大漏极电流 (ID)	50 A
最大漏源导通电阻	0.028 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-263AB
JESD-30 代码	R-PSSO-G2
元件数量	1
端子数量	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	175 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	200 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	40
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

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IRLZ44S, SiHLZ44S

Vishay Siliconix

Power MOSFET

PRODUCT SUMMARY

(V)

DS(on)

()

(Max.) (nC)

(nC)

Configuration

= 5.0 V

Single

0.028

•

Halogen-free According to IEC 61249-2-21

Definition

• Surface Mount

• Available in Tape and Reel

• Dynamic dV/dt Rating

• Logic-Level Gate Drive

• R

DS(on)

Specified at V

= 4 V and 5 V

• 175 °C Operating Temperature

• Fast Switching

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

FEATURES

DESCRIPTION

PAK (TO-263)

G D

N-Channel MOSFET

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The D

PAK (TO-263) is a surface mount power package

capable of accommodating die sizes up to HEX-4. It

provides the highest power capability and the lowest

possible on-resistance in any existing surface mount

package. The D

PAK (TO-263) is suitable for high current

applications because of its low internal connection

resistance and can dissipate up to 2.0 W in a typical surface

mount application.

PAK (TO-263)

SiHLZ44STRR-GE3

IRLZ44STRRPbF

SiHLZ44STR-E3

ORDERING INFORMATION

Package

Lead (Pb)-free and Halogen-free

Lead (Pb)-free

Note

a. See device orientation.

PAK (TO-263)

SiHLZ44S-GE3

IRLZ44SPbF

SiHLZ44S-E3

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

= 25 °C, unless otherwise noted)

PARAMETER

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

SYMBOL

LIMIT

± 10

200

1.0

0.025

400

150

3.7

4.5

- 55 to + 175

300

UNIT

= 25 °C

Continuous Drain Current

at 5.0 V

= 100 °C

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current

Linear Derating Factor

Linear Derating Factor (PCB Mount)

Single Pulse Avalanche Energy

Maximum Power Dissipation

= 25 °C

Maximum Power Dissipation (PCB Mount)

dV/dt

Peak Diode Recovery dV/dt

Operating Junction and Storage Temperature Range

, T

stg

for 10 s

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V

= 25 V, starting T

= 25 °C, L = 179 μH, R

= 25

,

= 51 A (see fig. 12).

c. I



51 A, dI/dt



250 A/μs, V



, T



175 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 material).

f. Current limited by the package, (die current = 51 A).

W/°C

V/ns

°C

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91329

S11-1055-Rev. C, 30-May-11

www.vishay.com

This document is subject to change without notice.

THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT

www.vishay.com/doc?91000

SIHLZ44S-GE3相似产品对比

	SIHLZ44S-GE3	SIHLZ44S	SIHLZ44S-E3	SIHLZ44STR-E3	SIHLZ44STRR-GE3
描述	50 A, 60 V, 0.028 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB	50 A, 60 V, 0.028 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB	50 A, 60 V, 0.028 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB	50 A, 60 V, 0.028 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB	50 A, 60 V, 0.028 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
是否无铅	不含铅	含铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	不符合	符合	符合	符合
零件包装代码	D2PAK	D2PAK	D2PAK	D2PAK	D2PAK
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数	4	4	4	4	4
Reach Compliance Code	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
其他特性	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）	400 mJ	400 mJ	400 mJ	400 mJ	400 mJ
外壳连接	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	60 V	60 V	60 V	60 V	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	50 A	50 A	50 A	50 A	50 A
最大漏极电流 (ID)	50 A	50 A	50 A	50 A	50 A
最大漏源导通电阻	0.028 Ω	0.028 Ω	0.028 Ω	0.028 Ω	0.028 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-263AB	TO-263AB	TO-263AB	TO-263AB	TO-263AB
JESD-30 代码	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2
元件数量	1	1	1	1	1
端子数量	2	2	2	2	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260	240	260	260	260
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	150 W	150 W	150 W	150 W	150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	200 A	200 A	200 A	200 A	200 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	40	30	40	40	40
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
厂商名称	Vishay(威世)	Vishay(威世)	Vishay(威世)	-	Vishay(威世)
JESD-609代码	-	e0	e3	e3	-
端子面层	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)	-

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