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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> SIHLZ44S
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SIHLZ44S

产品描述50 A, 60 V, 0.028 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小443KB，共9页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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SIHLZ44S概述

50 A, 60 V, 0.028 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB

50 A, 60 V, 0.028 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-263AB

SIHLZ44S规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码D2PAK
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数4
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）400 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)50 A
最大漏极电流 (ID)50 A
最大漏源导通电阻0.028 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-263AB
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）240
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)200 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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IRLZ44S, SiHLZ44S
Vishay Siliconix
Power MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
R
DS(on)
()
Q
g
(Max.) (nC)
Q
gs
(nC)
Q
gd
(nC)
Configuration
V
GS
= 5.0 V
66
12
43
Single
D
60
0.028
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
• Surface Mount
• Available in Tape and Reel
• Dynamic dV/dt Rating
• Logic-Level Gate Drive
• R
DS(on)
Specified at V
GS
= 4 V and 5 V
• 175 °C Operating Temperature
• Fast Switching
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
FEATURES
DESCRIPTION
D
2
PAK (TO-263)
G
G D
S
S
N-Channel MOSFET
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the
designer with the best combination of fast switching,
ruggedized device design, low on-resistance and
cost-effectiveness.
The D
2
PAK (TO-263) is a surface mount power package
capable of accommodating die sizes up to HEX-4. It
provides the highest power capability and the lowest
possible on-resistance in any existing surface mount
package. The D
2
PAK (TO-263) is suitable for high current
applications because of its low internal connection
resistance and can dissipate up to 2.0 W in a typical surface
mount application.
D
2
PAK (TO-263)
SiHLZ44STRR-GE3
a
IRLZ44STRRPbF
a
SiHLZ44STR-E3
a
ORDERING INFORMATION
Package
Lead (Pb)-free and Halogen-free
Lead (Pb)-free
Note
a. See device orientation.
D
2
PAK (TO-263)
SiHLZ44S-GE3
IRLZ44SPbF
SiHLZ44S-E3
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
C
= 25 °C, unless otherwise noted)
PARAMETER
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
SYMBOL
V
DS
V
GS
LIMIT
60
± 10
50
36
200
1.0
0.025
400
150
3.7
4.5
- 55 to + 175
300
d
UNIT
V
T
C
= 25 °C
Continuous Drain Current
f
V
GS
at 5.0 V
I
D
T
C
= 100 °C
Continuous Drain Current
I
DM
Pulsed Drain Current
a
Linear Derating Factor
Linear Derating Factor (PCB Mount)
e
E
AS
Single Pulse Avalanche Energy
b
Maximum Power Dissipation
T
C
= 25 °C
P
D
T
A
= 25 °C
Maximum Power Dissipation (PCB Mount)
e
dV/dt
Peak Diode Recovery dV/dt
c
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
d
for 10 s
Soldering Recommendations (Peak Temperature)
Notes
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).
b. V
DD
= 25 V, starting T
J
= 25 °C, L = 179 μH, R
g
= 25
,
I
AS
= 51 A (see fig. 12).
c. I
SD
51 A, dI/dt
250 A/μs, V
DD
V
DS
, T
J
175 °C.
d. 1.6 mm from case.
e. When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 material).
f. Current limited by the package, (die current = 51 A).
A
W/°C
mJ
W
V/ns
°C
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply
Document Number: 91329
S11-1055-Rev. C, 30-May-11
www.vishay.com
1
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THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT
www.vishay.com/doc?91000

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是否无铅 含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 不符合 符合 符合 符合 符合
零件包装代码 D2PAK D2PAK D2PAK D2PAK D2PAK
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数 4 4 4 4 4
Reach Compliance Code unknow unknow unknow unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 LOGIC LEVEL COMPATIBLE LOGIC LEVEL COMPATIBLE LOGIC LEVEL COMPATIBLE LOGIC LEVEL COMPATIBLE LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas） 400 mJ 400 mJ 400 mJ 400 mJ 400 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 60 V 60 V 60 V 60 V 60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 50 A 50 A 50 A 50 A 50 A
最大漏极电流 (ID) 50 A 50 A 50 A 50 A 50 A
最大漏源导通电阻 0.028 Ω 0.028 Ω 0.028 Ω 0.028 Ω 0.028 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-263AB TO-263AB TO-263AB TO-263AB TO-263AB
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
元件数量 1 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度） 240 260 260 260 260
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 150 W 150 W 150 W 150 W 150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 200 A 200 A 200 A 200 A 200 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 30 40 40 40 40
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
厂商名称 Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) - Vishay(威世)
JESD-609代码 e0 e3 - e3 -
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Matte Tin (Sn) - Matte Tin (Sn) -

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