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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> SIHL540S-GE3
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SIHL540S-GE3

产品描述28 A, 100 V, 0.077 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小278KB，共9页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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SIHL540S-GE3概述

28 A, 100 V, 0.077 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB

28 A, 100 V, 0.077 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-263AB

SIHL540S-GE3规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码D2PAK
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数4
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）440 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)28 A
最大漏极电流 (ID)28 A
最大漏源导通电阻0.077 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-263AB
JESD-30 代码R-PSSO-G2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)110 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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IRL540S, SiHL540S
Vishay Siliconix
Power MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
R
DS(on)
()
Q
g
(Max.) (nC)
Q
gs
(nC)
Q
gd
(nC)
Configuration
V
GS
= 5 V
64
9.4
27
Single
D
FEATURES
100
0.077
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
• Surface Mount
• Available in Tape and Reel
• Dynamic dV/dt Rating
• Repetitive Avalanche Rated
• Logic-Level Gate Drive
• R
DS(on)
Specified at V
GS
= 4 V and 5 V
• 175 °C Operating Temperature
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
DESCRIPTION
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the
designer with the best combination of fast switching,
ruggedized device design, low on-resistance and
cost-effectiveness.
The D
2
PAK (TO-263) is a surface mount power package
capable of accommodating die size up to HEX-4. It provides
the highest power capability and the lowest possible
on-resistance in any existing surface mount package. The
D
2
PAK (TO-263) is suitable for high current applications
because of its low internal connection resistance and can
dissipate up to 2.0 W in a typical surface mount application.
D
2
PAK (TO-263)
G
G D
S
S
N-Channel MOSFET
ORDERING INFORMATION
Package
Lead (Pb)-free and Halogen-free
Lead (Pb)-free
Note
a. See device orientation.
D
2
PAK (TO-263)
SiHL540S-GE3
IRL540SPbF
SiHL540S-E3
D
2
PAK (TO-263)
SiHL540STRL-GE3
a
IRL540STRLPbF
a
SiHL540STL-E3
a
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
C
= 25 °C, unless otherwise noted)
PARAMETER
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
Pulsed Drain
Linear Derating Factor
Linear Derating Factor (PCB Mount)
e
Single Pulse Avalanche Energy
b
Avalanche Current
a
Repetiitive Avalanche Energy
a
Maximum Power Dissipation
Current
a
V
GS
at 5 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
SYMBOL
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
LIMIT
100
± 10
28
20
110
1.0
0.025
440
28
15
150
3.7
5.5
- 55 to + 175
300
d
UNIT
V
A
W/°C
mJ
A
mJ
W
V/ns
°C
E
AS
I
AR
E
AR
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
P
D
Maximum Power Dissipation (PCB
dV/dt
Peak Diode Recovery dV/dt
c
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
Soldering Recommendations (Peak Temperature)
for 10 s
Notes
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).
b. V
DD
= 25 V, starting T
J
= 25 °C, L = 841 μH, R
g
= 25
,
I
AS
= 28 A (see fig. 12).
c. I
SD
28 A, dI/dt
170 A/μs, V
DD
V
DS
, T
J
175 °C.
d. 1.6 mm from case.
e. When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 material).
Mount)
e
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply
Document Number: 90386
S11-1045-Rev. C, 30-May-11
www.vishay.com
1
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THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT
www.vishay.com/doc?91000

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描述 28 A, 100 V, 0.077 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB 28 A, 100 V, 0.077 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB 28 A, 100 V, 0.077 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB 28 A, 100 V, 0.077 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB 28 A, 100 V, 0.077 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
是否无铅 不含铅 含铅 不含铅 不含铅 不含铅 -
是否Rohs认证 符合 不符合 符合 符合 符合 -
厂商名称 Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) -
零件包装代码 D2PAK D2PAK D2PAK D2PAK D2PAK -
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 -
针数 4 4 4 4 4 -
Reach Compliance Code unknow unknow unknow unknow unknow -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 -
其他特性 AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE -
雪崩能效等级（Eas） 440 mJ 440 mJ 440 mJ 440 mJ 440 mJ -
外壳连接 DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN -
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE -
最小漏源击穿电压 100 V 100 V 100 V 100 V 100 V -
最大漏极电流 (Abs) (ID) 28 A 28 A 28 A 28 A 28 A -
最大漏极电流 (ID) 28 A 28 A 28 A 28 A 28 A -
最大漏源导通电阻 0.077 Ω 0.077 Ω 0.077 Ω 0.077 Ω 0.077 Ω -
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR -
JEDEC-95代码 TO-263AB TO-263AB TO-263AB TO-263AB TO-263AB -
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 -
元件数量 1 1 1 1 1 -
端子数量 2 2 2 2 2 -
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE -
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE -
峰值回流温度（摄氏度） 260 240 260 260 260 -
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL -
最大功率耗散 (Abs) 150 W 150 W 150 W 150 W 150 W -
最大脉冲漏极电流 (IDM) 110 A 110 A 110 A 110 A 110 A -
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified -
表面贴装 YES YES YES YES YES -
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING -
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE -
处于峰值回流温度下的最长时间 40 30 40 40 40 -
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING -
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON -

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