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TSM1N50CTB0

产品描述500V N-Channel Power MOSFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小120KB,共7页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
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TSM1N50CTB0概述

500V N-Channel Power MOSFET

TSM1N50CTB0规格参数

参数名称属性值
厂商名称Taiwan Semiconductor
包装说明CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压500 V
最大漏极电流 (ID)0.5 A
最大漏源导通电阻5.5 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)4 pF
JEDEC-95代码TO-92
JESD-30 代码O-PBCY-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

TSM1N50CTB0相似产品对比

TSM1N50CTB0 TSM1N50 TSM1N50CTA3
描述 500V N-Channel Power MOSFET 500V N-Channel Power MOSFET 500V N-Channel Power MOSFET
包装说明 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 - CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code unknow - unknow
ECCN代码 EAR99 - EAR99
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE - SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 500 V - 500 V
最大漏极电流 (ID) 0.5 A - 0.5 A
最大漏源导通电阻 5.5 Ω - 5.5 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR - METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) 4 pF - 4 pF
JEDEC-95代码 TO-92 - TO-92
JESD-30 代码 O-PBCY-T3 - O-PBCY-T3
元件数量 1 - 1
端子数量 3 - 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE - ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND - ROUND
封装形式 CYLINDRICAL - CYLINDRICAL
极性/信道类型 N-CHANNEL - N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified - Not Qualified
表面贴装 NO - NO
端子形式 THROUGH-HOLE - THROUGH-HOLE
端子位置 BOTTOM - BOTTOM
晶体管应用 SWITCHING - SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON - SILICON
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