500V N-Channel Power MOSFET
| 参数名称 | 属性值 |
| 包装说明 | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| Reach Compliance Code | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 500 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 0.5 A |
| 最大漏源导通电阻 | 5.5 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss) | 4 pF |
| JEDEC-95代码 | TO-92 |
| JESD-30 代码 | O-PBCY-T3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| Base Number Matches | 1 |
| TSM1N50CTA3 | TSM1N50 | TSM1N50CTB0 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | 500V N-Channel Power MOSFET | 500V N-Channel Power MOSFET | 500V N-Channel Power MOSFET |
| 包装说明 | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 | - | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| Reach Compliance Code | unknow | - | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 | - | EAR99 |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 500 V | - | 500 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 0.5 A | - | 0.5 A |
| 最大漏源导通电阻 | 5.5 Ω | - | 5.5 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss) | 4 pF | - | 4 pF |
| JEDEC-95代码 | TO-92 | - | TO-92 |
| JESD-30 代码 | O-PBCY-T3 | - | O-PBCY-T3 |
| 元件数量 | 1 | - | 1 |
| 端子数量 | 3 | - | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | - | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | ROUND | - | ROUND |
| 封装形式 | CYLINDRICAL | - | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | - | N-CHANNEL |
| 认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO | - | NO |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | - | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | BOTTOM | - | BOTTOM |
| 晶体管应用 | SWITCHING | - | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | - | SILICON |
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