GBU4K: 产品描述2.8 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小151KB，共2页; 制造商DACHANG; 官网地址http://www.dachang.com.cn

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GBU4K概述

2.8 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

2.8 A, 800 V, 硅, 桥式整流二极管

GBU4K规格参数

参数名称	属性值
端子数量	4
元件数量	4
最大平均输入电流	2.8 A
加工封装描述	20.80 × 18 MM, 3.30 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, 塑料 PACKAGE-4
状态	DISCONTINUED
包装形状	矩形的
包装尺寸	凸缘安装
端子形式	THROUGH-孔
端子位置	单一的
包装材料	塑料/环氧树脂
结构	桥, 4 ELEMENTS
二极管元件材料	硅
二极管类型	桥式整流二极管
相数	1
最大重复峰值反向电压	800 V
最大非重复峰值正向电流	200 A

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SIYU

塑封硅整流桥堆

反向电压

50---1000V

正向电流

4 A

GBU

GBU4A ...... GBU4M

Single-phase Silicon Bridge Rectifier

Reverse Voltage 50 to 1000V

Forward Current 4 A

特征

Features

·反向漏电流½

Low reverse leakage

High forward surge capability

Surge

overload rating: 120 Amperes peak

·正向浪涌承受½力较强

·浪涌承受½力：120A

·引线和管½皆符合RoHS标准。

Lead and body according with RoHS standard

机械数据

Mechanical Data

·封装:

塑料封装

Case: Molded Plastic

·极性:

标记模压或印于本½

Polarity: Symbols molded or marked on body

Unit：inch（mm）

·安装½½:

任意

Mounting Position: Any

·安装扭距:

推荐值

0.3牛*米

Mounting torque：

Recommend 0.3 N*m

极限值和温度特性

TA = 25℃

除非另有规定。

Maximum Ratings & Thermal Characteristics

符号

Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.

GBU

Symbols

最大可重复峰值反向电压

Maximum repetitive peak reverse voltage

最大均方根电压

Maximum RMS voltage

最大直流阻断电压

Maximum DC blocking voltage

TC =100℃

最大正向平均整流电流

Maximum average forward rectified current

GBU

100

GBU GBU

200

140

200

400

280

400

4.0

120

GBU GBU

600

420

600

800

560

800

GBU

1000

700

1000

单½

Unit

℃/W

RRM

RMS

F(AV)

FSM

θJA

Tj, TSTG

峰值正向浪涌电流 8.3ms单一正弦半波

Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave

典型热阻

Typical thermal resistance

工½结温和存储温度

Operating junction and storage temperature range

-55--- +150

℃

电特性

TA = 25℃

除非另有规定。

Electrical Characteristics

Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.

符号

Symbols

最大正向电压

Maximum forward voltage

GBU

GBU GBU

1.1

500

GBU GBU

GBU

单½

Unit

μA

= 2.0A

TA= 25℃

TA = 125℃

最大反向电流

Maximum reverse current

典型结电容

4.0V, f = 1MHz

Type junction capacitance

大昌电子

DACHANG ELECTRONICS

GBU4K相似产品对比

	GBU4K	GBU4A_15	GBU4D	GBU4G	GBU4J	GBU4A	GBU4B	GBU4M
描述	2.8 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	2.8 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	2.8 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	4 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	3 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	3 A, 50 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE
状态	DISCONTINUED	ACTIVE	ACTIVE	-	TRANSFERRED	-	ACTIVE	ACTIVE
二极管类型	桥式整流二极管	桥式整流二极管	桥式整流二极管	-	桥式整流二极管	-	BRIDGE RECTIFIER DIODE	桥式整流二极管

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