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GBU4D

产品描述2.8 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小151KB,共2页
制造商DACHANG
官网地址http://www.dachang.com.cn
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GBU4D概述

2.8 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

2.8 A, 200 V, 硅, 桥式整流二极管

GBU4D规格参数

参数名称属性值
端子数量4
元件数量4
最大平均输入电流2.8 A
加工封装描述20.80 × 18 MM, 3.30 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, 塑料 PACKAGE-4
状态ACTIVE
包装形状矩形的
包装尺寸凸缘安装
端子形式THROUGH-孔
端子位置单一的
包装材料塑料/环氧树脂
结构桥, 4 ELEMENTS
二极管元件材料
二极管类型桥式整流二极管
相数1
最大重复峰值反向电压200 V
最大非重复峰值正向电流200 A

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SIYU
R
塑封硅整流桥堆
反向电压
50---1000V
正向电流
4 A
GBU
GBU4A ...... GBU4M
Single-phase Silicon Bridge Rectifier
Reverse Voltage 50 to 1000V
Forward Current 4 A
特征
Features
·反向漏电流½
Low reverse leakage
High forward surge capability
Surge
overload rating: 120 Amperes peak
·正向浪涌承受½力较强
·浪涌承受½力:120A
·引线和管½皆符合RoHS标准 。
Lead and body according with RoHS standard
机械数据
Mechanical Data
·封装:
塑料封装
Case: Molded Plastic
·极性:
标记模压或印于本½
Polarity: Symbols molded or marked on body
Unit:inch(mm)
·安装½½:
任意
Mounting Position: Any
·安装扭距:
推荐值
0.3牛*米
Mounting torque:
Recommend 0.3 N*m
极限值和温度特性
TA = 25℃
除非另有规定。
Maximum Ratings & Thermal Characteristics
符号
Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.
GBU
Symbols
4A
最大可重复峰值反向电压
Maximum repetitive peak reverse voltage
最大均方根电压
Maximum RMS voltage
最大直流阻断电压
Maximum DC blocking voltage
TC =100℃
最大正向平均整流电流
Maximum average forward rectified current
GBU
4B
100
70
100
GBU GBU
4D
4G
200
140
200
400
280
400
4.0
120
22
GBU GBU
4J
4K
600
420
600
800
560
800
GBU
4M
1000
700
1000
单½
Unit
V
V
V
A
A
℃/W
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
R
θJA
Tj, TSTG
50
35
50
峰值正向浪涌电流 8.3ms单一正弦半波
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave
典型热阻
Typical thermal resistance
工½结温和存储温度
Operating junction and storage temperature range
-55--- +150
电特性
TA = 25℃
除非另有规定。
Electrical Characteristics
Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.
符号
Symbols
最大正向电压
Maximum forward voltage
GBU
4A
GBU
4B
GBU GBU
4D
4G
1.1
10
500
40
GBU GBU
4J
4K
GBU
4M
单½
Unit
V
μA
I
F
= 2.0A
TA= 25℃
TA = 125℃
V
F
最大反向电流
Maximum reverse current
典型结电容
V
R
=
4.0V, f = 1MHz
Type junction capacitance
I
R
Cj
pF
大昌电子
DACHANG ELECTRONICS

GBU4D相似产品对比

GBU4D GBU4A_15 GBU4G GBU4J GBU4K GBU4A GBU4B GBU4M
描述 2.8 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 2.8 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 4 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 3 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 2.8 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 3 A, 50 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE
状态 ACTIVE ACTIVE - TRANSFERRED DISCONTINUED - ACTIVE ACTIVE
二极管类型 桥式整流二极管 桥式整流二极管 - 桥式整流二极管 桥式整流二极管 - BRIDGE RECTIFIER DIODE 桥式整流二极管

 
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