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BTW48-1200M

产品描述SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1.2KV V(DRM),50A I(T),TO-208AA
产品类别模拟混合信号IC    触发装置   
文件大小161KB,共4页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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BTW48-1200M概述

SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1.2KV V(DRM),50A I(T),TO-208AA

BTW48-1200M规格参数

参数名称属性值
厂商名称ST(意法半导体)
包装说明,
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
标称电路换相断开时间50 µs
最大直流栅极触发电流60 mA
最大直流栅极触发电压3 V
最大维持电流30 mA
最大漏电流5 mA
通态非重复峰值电流500 A
最大通态电流50000 A
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
断态重复峰值电压1200 V
表面贴装NO
触发设备类型SCR

BTW48-1200M相似产品对比

BTW48-1200M BTW48-400M BTW48-200M BTW48-600M BTW48-800M
描述 SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1.2KV V(DRM),50A I(T),TO-208AA SILICON CONTROLLED RECTIFIER,400V V(DRM),50A I(T),TO-208AA SILICON CONTROLLED RECTIFIER,200V V(DRM),50A I(T),TO-208AA SILICON CONTROLLED RECTIFIER,600V V(DRM),50A I(T),TO-208AA SILICON CONTROLLED RECTIFIER,800V V(DRM),50A I(T),TO-208AA
厂商名称 ST(意法半导体) ST(意法半导体) ST(意法半导体) ST(意法半导体) ST(意法半导体)
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最大直流栅极触发电流 60 mA 60 mA 60 mA 60 mA 60 mA
最大直流栅极触发电压 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
最大维持电流 30 mA 30 mA 30 mA 30 mA 30 mA
最大漏电流 5 mA 5 mA 5 mA 5 mA 5 mA
通态非重复峰值电流 500 A 500 A 500 A 500 A 500 A
最大通态电流 50000 A 50000 A 50000 A 50000 A 50000 A
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
断态重复峰值电压 1200 V 400 V 200 V 600 V 800 V
表面贴装 NO NO NO NO NO
触发设备类型 SCR SCR SCR SCR SCR
标称电路换相断开时间 50 µs 50 µs - 50 µs 50 µs

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