SILICON CONTROLLED RECTIFIER,400V V(DRM),50A I(T),TO-208AA
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | ST(意法半导体) |
| 包装说明 | , |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 标称电路换相断开时间 | 50 µs |
| 最大直流栅极触发电流 | 60 mA |
| 最大直流栅极触发电压 | 3 V |
| 最大维持电流 | 30 mA |
| 最大漏电流 | 5 mA |
| 通态非重复峰值电流 | 500 A |
| 最大通态电流 | 50000 A |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 断态重复峰值电压 | 400 V |
| 表面贴装 | NO |
| 触发设备类型 | SCR |
| Base Number Matches | 1 |
| BTW48-400M | BTW48-200M | BTW48-600M | BTW48-800M | BTW48-1200M | |
|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | SILICON CONTROLLED RECTIFIER,400V V(DRM),50A I(T),TO-208AA | SILICON CONTROLLED RECTIFIER,200V V(DRM),50A I(T),TO-208AA | SILICON CONTROLLED RECTIFIER,600V V(DRM),50A I(T),TO-208AA | SILICON CONTROLLED RECTIFIER,800V V(DRM),50A I(T),TO-208AA | SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1.2KV V(DRM),50A I(T),TO-208AA |
| 厂商名称 | ST(意法半导体) | ST(意法半导体) | ST(意法半导体) | ST(意法半导体) | ST(意法半导体) |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant | compliant | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 最大直流栅极触发电流 | 60 mA | 60 mA | 60 mA | 60 mA | 60 mA |
| 最大直流栅极触发电压 | 3 V | 3 V | 3 V | 3 V | 3 V |
| 最大维持电流 | 30 mA | 30 mA | 30 mA | 30 mA | 30 mA |
| 最大漏电流 | 5 mA | 5 mA | 5 mA | 5 mA | 5 mA |
| 通态非重复峰值电流 | 500 A | 500 A | 500 A | 500 A | 500 A |
| 最大通态电流 | 50000 A | 50000 A | 50000 A | 50000 A | 50000 A |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C |
| 断态重复峰值电压 | 400 V | 200 V | 600 V | 800 V | 1200 V |
| 表面贴装 | NO | NO | NO | NO | NO |
| 触发设备类型 | SCR | SCR | SCR | SCR | SCR |
| 标称电路换相断开时间 | 50 µs | - | 50 µs | 50 µs | 50 µs |
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