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20CTQ035-N3

产品描述20 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小179KB,共7页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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20CTQ035-N3概述

20 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB

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VS-20CTQ...PbF Series, VS-20CTQ...-N3 Series
www.vishay.com
Vishay Semiconductors
Schottky Rectifier, 2 x 10 A
Base 2
common
cathode
FEATURES
• 175 °C T
J
operation
• Low forward voltage drop
• High frequency operation
• High
purity,
high
temperature
epoxy
encapsulation for enhanced mechanical strength
and moisture resistance
• Guard ring for enhanced ruggedness and long
term reliability
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
• Designed and qualified according to JEDEC-JESD47
Anode
TO-220AB
Anode
2
1 Common 3
cathode
PRODUCT SUMMARY
Package
I
F(AV)
V
R
V
F
at I
F
I
RM
max.
T
J
max.
Diode variation
E
AS
TO-220AB
2 x 10 A
35 V, 40 V, 45 V
0.57 V
15 mA at 125 °C
175 °C
Common cathode
13 mJ
• Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
(-N3 only)
DESCRIPTION
The VS-20CTQ... center tap Schottky rectifier series
has been optimized for low reverse leakage at high
temperature. The proprietary barrier technology allows for
reliable operation up to 175 °C junction temperature. Typical
applications are in switching power supplies, converters,
freewheeling diodes, and reverse battery protection.
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS
SYMBOL
I
F(AV)
V
RRM
I
FSM
V
F
T
J
CHARACTERISTICS
Rectangular waveform
Range
t
p
= 5 μs sine
10 A
pk
, T
J
= 125 °C (per leg)
Range
VALUES
20
35 to 45
1060
0.57
- 55 to 175
UNITS
A
V
A
V
°C
VOLTAGE RATINGS
PARAMETER
Maximum DC
reverse voltage
Maximum working
peak reverse
voltage
SYMBOL
V
R
35
V
RWM
35
40
40
45
45
V
VS-
VS-
VS-
VS-
VS-
VS-
UNITS
20CTQ035PbF 20CTQ035-N3 20CTQ040PbF 20CTQ040-N3 20CTQ045PbF 20CTQ045-N3
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
PARAMETER
Maximum average forward current
See fig. 5
Maximum peak one cycle non-repetitive
surge current per leg
See fig. 7
Non-repetitive avalanche energy per leg
Repetitive avalanche current per leg
SYMBOL
I
F(AV)
TEST CONDITIONS
50 % duty cycle at T
C
= 145 °C, rectangular waveform
5 µs sine or 3 µs rect. pulse
I
FSM
10 ms sine or 6 ms rect. pulse
E
AS
I
AR
Following any rated load
condition and with rated
V
RRM
applied
VALUES
20
1060
265
13
2.0
mJ
A
A
UNITS
T
J
= 25 °C, I
AS
= 2.0 A, L = 6.5 mH
Current decaying linearly to zero in 1 μs
Frequency limited by T
J
maximum V
A
= 1.5 x V
R
typical
Revision: 25-Aug-11
Document Number: 94162
1
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DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
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ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT
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