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MJE15028

产品描述POWER TRANSISTOR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小144KB,共2页
制造商Central Semiconductor
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MJE15028概述

POWER TRANSISTOR

功率晶体管

MJE15028规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Central Semiconductor
零件包装代码TO-220AB
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)8 A
集电极-发射极最大电压120 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)20
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)50 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)30 MHz

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MJE15028 MJE15030
MJE15029 MJE15031
NPN
PNP
Central
TM
Semiconductor Corp.
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR MJE15028/MJE15029
Series types are Complementary Silicon Power Transistors
designed for use in audio amplifier applications.
COMPLEMENTARY SILICON
POWER TRANSISTORS
MARKING: FULL PART NUMBER
TO-220 CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
Collector-Base Voltage
VCBO
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Peak Collector Current
Base Current
Power Dissipation
Power Dissipation (TC=25°C)
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
Thermal Resistance
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TC=25°C)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
ICBO
VCB=Rated VCBO
ICEO
IEBO
BVCEO
BVCEO
VCE(SAT)
VBE(ON)
hFE
hFE
hFE
hFE
fT
VCE=Rated VCEO
VEB=5.0V
IC=10mA (MJE15028, MJE15029)
IC=10mA (MJE15030, MJE15031)
IC=1.0A, IB=100mA
VCE=2.0V, IC=1.0A
VCE=2.0V, IC=100mA
VCE=2.0V, IC=2.0A
VCE=2.0V, IC=3.0A
VCE=2.0V, IC=4.0A
VCE=10V, IC=500mA, f=10MHz
40
40
40
20
30
MHz
120
150
0.5
1.0
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
PD
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
Θ
JC
MJE15028
MJE15029
120
120
5.0
8.0
16
2.0
2.0
50
-65 to +150
62.5
2.5
MJE15030
MJE15031
150
150
UNITS
V
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C/W
°C/W
MIN
MAX
10
100
10
UNITS
μA
μA
μA
V
V
V
V
R0 (17-February 2009)

MJE15028相似产品对比

MJE15028 MJE15029 MJE15030 MJE15031
描述 POWER TRANSISTOR POWER TRANSISTOR POWER TRANSISTOR 8 A, 150 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 TO-220, 3 PIN TO-220, 3 PIN
针数 3 3 3 3
Reach Compliance Code unknow unknow _compli _compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 8 A 8 A 8 A 8 A
集电极-发射极最大电压 120 V 120 V 150 V 150 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 20 20 20 20
JEDEC-95代码 TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
元件数量 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 NPN PNP NPN PNP
最大功率耗散 (Abs) 50 W 50 W 50 W 50 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 30 MHz 30 MHz 30 MHz 30 MHz
厂商名称 Central Semiconductor Central Semiconductor Central Semiconductor -
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