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MA357

产品描述Silicon epitaxial planer type
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小18KB,共2页
制造商Panasonic(松下)
官网地址http://www.panasonic.co.jp/semicon/e-index.html
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MA357概述

Silicon epitaxial planer type

MA357规格参数

参数名称属性值
厂商名称Panasonic(松下)
包装说明R-PDSO-G2
针数2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最小击穿电压34 V
配置SINGLE
二极管电容容差2%
最小二极管电容比11
标称二极管电容31.65 pF
二极管元件材料SILICON
二极管类型VARIABLE CAPACITANCE DIODE
频带ULTRA HIGH FREQUENCY
JESD-30 代码R-PDSO-G2
元件数量1
端子数量2
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL

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Variable Capacitance Diodes
MA111
MA357J
Silicon epitaxial planer type
For CATV tuner
INDICATES
CATHODE
Unit : mm
s
Features
q
q
0.4±0.15
1
2
Small series resistance r
D
0.4±0.15
1.7±0.1
2.5±0.2
0.45
–0.05
+0.1
s
Absolute Maximum Ratings
(Ta= 25˚C)
Parameter
Reverse voltage (DC)
Peak reverse voltage
Junction temperature
Storage temperature
* R
L
=10kΩ
Symbol
V
R
V
RM
*
T
j
T
stg
Rating
34
35
150
– 55 to +150
Unit
V
V
˚C
˚C
0.9±0.1
1 : Anode
2 : Cathode
S-Mini Type Package (Flat 2-pin)
Marking Symbol : 7K
s
Electrical Characteristics
(Ta= 25˚C)
Parameter
Reverse current (DC)
Symbol
I
R
C
D(0V)
*
2
C
D(2V)
Diode capacitance
C
D(25V)
C
D(10V)
C
D(17V)
Capacitance ratio
Diode capacitance deviation
Series resistance
C
D(2V)
/C
D(25V)
∆C
r
D
*
1
C
D (2V) (10V) (17V) (25V)
C
D
= 9pF, f= 470MHz
V
R
= 30V
V
R
= 0V, f= 1MHz
V
R
= 2V, f= 1MHz
V
R
= 25V, f= 1MHz
V
R
= 10V, f= 1MHz
V
R
= 17V, f= 1MHz
58.0
29.00
2.53
6.40
3.50
11.0
2.0
0.54
34.30
2.92
8.32
4.35
Condition
min
typ
max
10
Unit
nA
pF
pF
pF
pF
pF
%
Note 1. Rated input/output frequency : 470MHz
2. *
1
: r
D
measurement device : YHP MODEL 4191A RF IMPEDANCE ANALYZER
3. *
2
: Low Signal Level
s
Marking
7K
0.16
–0.06
+0.1
1.25±0.1
Large capacity variation ratio

MA357相似产品对比

MA357 MA360J MA357J
描述 Silicon epitaxial planer type Silicon epitaxial planer type Silicon epitaxial planer type
厂商名称 Panasonic(松下) Panasonic(松下) Panasonic(松下)
包装说明 R-PDSO-G2 R-PDSO-F2 R-PDSO-F2
针数 2 2 2
Reach Compliance Code unknow unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
最小击穿电压 34 V 30 V 34 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
二极管电容容差 2% 2% 2%
最小二极管电容比 11 5.95 11
标称二极管电容 31.65 pF 14.36 pF 58 pF
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON
二极管类型 VARIABLE CAPACITANCE DIODE VARIABLE CAPACITANCE DIODE VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JESD-30 代码 R-PDSO-G2 R-PDSO-F2 R-PDSO-F2
元件数量 1 1 1
端子数量 2 2 2
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES
端子形式 GULL WING FLAT FLAT
端子位置 DUAL DUAL DUAL
频带 ULTRA HIGH FREQUENCY VERY HIGH FREQUENCY TO ULTRA HIGH FREQUENCY -
最大重复峰值反向电压 - 35 V 34 V
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