Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> MA357J

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MA357J: 产品描述Silicon epitaxial planer type; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小18KB，共2页; 制造商Panasonic(松下); 官网地址http://www.panasonic.co.jp/semicon/e-index.html

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MA357J概述

Silicon epitaxial planer type

MA357J规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Panasonic(松下)
包装说明	R-PDSO-F2
针数	2
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
最小击穿电压	34 V
配置	SINGLE
二极管电容容差	2%
最小二极管电容比	11
标称二极管电容	58 pF
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JESD-30 代码	R-PDSO-F2
元件数量	1
端子数量	2
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
认证状态	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	34 V
表面贴装	YES
端子形式	FLAT
端子位置	DUAL

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Variable Capacitance Diodes

MA111

MA357J

Silicon epitaxial planer type

For CATV tuner

INDICATES

CATHODE

Unit : mm

Features

0.4±0.15

Small series resistance r

0.4±0.15

1.7±0.1

2.5±0.2

0.45

–0.05

+0.1

Absolute Maximum Ratings

(Ta= 25˚C)

Parameter

Reverse voltage (DC)

Peak reverse voltage

Junction temperature

Storage temperature

* R

=10kΩ

Symbol

stg

Rating

150

– 55 to +150

Unit

˚C

0.9±0.1

1 : Anode

2 : Cathode

S-Mini Type Package (Flat 2-pin)

Marking Symbol : 7K

Electrical Characteristics

(Ta= 25˚C)

Parameter

Reverse current (DC)

Symbol

D(0V)

D(2V)

Diode capacitance

D(25V)

D(10V)

D(17V)

Capacitance ratio

Diode capacitance deviation

Series resistance

D(2V)

D(25V)

∆C

D (2V) (10V) (17V) (25V)

= 9pF, f= 470MHz

= 30V

= 0V, f= 1MHz

= 2V, f= 1MHz

= 25V, f= 1MHz

= 10V, f= 1MHz

= 17V, f= 1MHz

58.0

29.00

2.53

6.40

3.50

11.0

2.0

0.54

34.30

2.92

8.32

4.35

Condition

min

typ

max

Unit

—

Ω

Note 1. Rated input/output frequency : 470MHz

2. *

: r

measurement device : YHP MODEL 4191A RF IMPEDANCE ANALYZER

3. *

: Low Signal Level

Marking

0.16

–0.06

+0.1

1.25±0.1

Large capacity variation ratio

MA357J相似产品对比

	MA357J	MA357	MA360J
描述	Silicon epitaxial planer type	Silicon epitaxial planer type	Silicon epitaxial planer type
厂商名称	Panasonic(松下)	Panasonic(松下)	Panasonic(松下)
包装说明	R-PDSO-F2	R-PDSO-G2	R-PDSO-F2
针数	2	2	2
Reach Compliance Code	unknow	unknow	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99
最小击穿电压	34 V	34 V	30 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE
二极管电容容差	2%	2%	2%
最小二极管电容比	11	11	5.95
标称二极管电容	58 pF	31.65 pF	14.36 pF
二极管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON
二极管类型	VARIABLE CAPACITANCE DIODE	VARIABLE CAPACITANCE DIODE	VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JESD-30 代码	R-PDSO-F2	R-PDSO-G2	R-PDSO-F2
元件数量	1	1	1
端子数量	2	2	2
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES
端子形式	FLAT	GULL WING	FLAT
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL
最大重复峰值反向电压	34 V	-	35 V
频带	-	ULTRA HIGH FREQUENCY	VERY HIGH FREQUENCY TO ULTRA HIGH FREQUENCY

推荐资源

器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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