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UK1398G-T92-R: 产品描述N-CHANNEL MOSFET FOR HIGH SPEED SWITCHING; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小220KB，共4页; 制造商UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD; 官网地址http://www.unisonic.com.tw/; 标准

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UK1398G-T92-R概述

N-CHANNEL MOSFET FOR HIGH SPEED SWITCHING

UK1398G-T92-R规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
零件包装代码	TO-92
包装说明	HALOGEN FREE PACKAGE-3
针数	3
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	50 V
最大漏极电流 (ID)	0.1 A
最大漏源导通电阻	40 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-92
JESD-30 代码	O-PBCY-T3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
表面贴装	NO
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

UK1398

N-CHANNEL MOSFET FOR

HIGH SPEED SWITCHING

Power MOSFET

DESCRIPTION

The UTC

UK1398

uses advanced trench technology to

provide excellent R

DS(ON)

, low gate charge and operation with low

gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in

PWM applications.

TO-92

FEATURES

* R

DS(ON)

<22Ω

=2.5V

* R

DS(ON)

<14Ω

=4V

* Low capacitance

* Low gate charge

* Fast switching capability

* Avalanche energy specified

SOT-23

SYMBOL

2.Drain

3.Gate

1.Source

ORDERING INFORMATION

Ordering Number

Lead Free

Halogen Free

UK1398L-AE3-R

UK1398G-AE3-R

UK1398L-T92-B

UK1398G-T92-B

UK1398L-T92-K

UK1398G-T92-K

UK1398L-T92-R

UK1398G-T92-R

Package

SOT-23

TO-92

Pin Assignment

Packing

Tape Reel

Tape Box

Bulk

Tape Reel

www.unisonic.com.tw

1 of 4

QW-R502-256.F

UK1398G-T92-R相似产品对比

	UK1398G-T92-R	UK1398	UK1398L-AE3-R	UK1398L-T92-R
描述	N-CHANNEL MOSFET FOR HIGH SPEED SWITCHING	N-CHANNEL MOSFET FOR HIGH SPEED SWITCHING	N-CHANNEL MOSFET FOR HIGH SPEED SWITCHING	N-CHANNEL MOSFET FOR HIGH SPEED SWITCHING
是否Rohs认证	符合	-	符合	符合
厂商名称	UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD	-	UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD	UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
包装说明	HALOGEN FREE PACKAGE-3	-	LEAD FREE PACKAGE-3	LEAD FREE PACKAGE-3
针数	3	-	3	3
Reach Compliance Code	compli	-	compli	compli
ECCN代码	EAR99	-	EAR99	EAR99
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	-	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	50 V	-	50 V	50 V
最大漏极电流 (ID)	0.1 A	-	0.1 A	0.1 A
最大漏源导通电阻	40 Ω	-	40 Ω	40 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	-	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	O-PBCY-T3	-	R-PDSO-G3	O-PBCY-T3
元件数量	1	-	1	1
端子数量	3	-	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	-	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND	-	RECTANGULAR	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL	-	SMALL OUTLINE	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL	-	N-CHANNEL	N-CHANNEL
表面贴装	NO	-	YES	NO
端子形式	THROUGH-HOLE	-	GULL WING	THROUGH-HOLE
端子位置	BOTTOM	-	DUAL	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING	-	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	-	SILICON	SILICON

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