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UF8010L-TQ2-T: 产品描述80A, 100V N-CHANNEL POWER MOSFET; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小263KB，共6页; 制造商UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD; 官网地址http://www.unisonic.com.tw/; 标准

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UF8010L-TQ2-T概述

80A, 100V N-CHANNEL POWER MOSFET

UF8010L-TQ2-T规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
零件包装代码	D2PAK
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数	4
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
雪崩能效等级（Eas）	310 mJ
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	100 V
最大漏极电流 (ID)	80 A
最大漏源导通电阻	0.015 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-263AB
JESD-30 代码	R-PSSO-G2
元件数量	1
端子数量	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	320 A
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

UF8010

80A, 100V N-CHANNEL

POWER MOSFET



DESCRIPTION

The UTC

UF8010

uses advanced technology to provide excellent

DS(ON)

, fast switching speed, low gate charge, and excellent

efficiency. This device is suitable for high frequency DC-DC

converters, UPS and motor control.

Power MOSFET



FEATURES

* R

DS(ON)

:12mΩ (Typ.)

* Lower gate-drain charge for lower switching losses

* Perfect avalanche voltage and current performance

* Fully characterized capacitance including effective C

OSS

to simplify

design



SYMBOL



ORDERING INFORMATION

Pin Assignment

Packing

Tube

Ordering Number

Package

Lead Free

Halogen Free

UF8010L-TA3-T

UF8010G-TA3-T

TO-220

UF8010L-TF3-T

UF8010G-TF3-T

TO-220F

UF8010L-TQ2-T

UF8010G-TQ2-T

TO-263

Note: Pin Assignment: G: Gate D: Drain S: Source

www.unisonic.com.tw

1 of 6

QW-R502-348.D

UF8010L-TQ2-T相似产品对比

	UF8010L-TQ2-T	UF8010G-TA3-T	UF8010G-TF3-T	UF8010L-TF3-T	UF8010L-TA3-T	UF8010_15
描述	80A, 100V N-CHANNEL POWER MOSFET	80A, 100V N-CHANNEL POWER MOSFET	80A, 100V N-CHANNEL POWER MOSFET	80A, 100V N-CHANNEL POWER MOSFET	N-CHANNEL POWER MOSFET	N-CHANNEL POWER MOSFET
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	-
厂商名称	UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD	UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD	UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD	UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD	UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD	-
零件包装代码	D2PAK	TO-220AB	TO-220AB	TO-220AB	TO-220AB	-
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	-
针数	4	3	3	3	3	-
Reach Compliance Code	compli	compli	compli	compli	compli	-
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	-
雪崩能效等级（Eas）	310 mJ	310 mJ	310 mJ	310 mJ	310 mJ	-
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	-
最小漏源击穿电压	100 V	100 V	100 V	100 V	100 V	-
最大漏极电流 (ID)	80 A	80 A	80 A	80 A	80 A	-
最大漏源导通电阻	0.015 Ω	0.015 Ω	0.015 Ω	0.015 Ω	0.015 Ω	-
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	-
JEDEC-95代码	TO-263AB	TO-220AB	TO-220AB	TO-220AB	TO-220AB	-
JESD-30 代码	R-PSSO-G2	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	-
元件数量	1	1	1	1	1	-
端子数量	2	3	3	3	3	-
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	-
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-
封装形式	SMALL OUTLINE	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	-
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	-
最大脉冲漏极电流 (IDM)	320 A	320 A	320 A	320 A	320 A	-
表面贴装	YES	NO	NO	NO	NO	-
端子形式	GULL WING	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	-
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	-
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	-
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	-

UF8010L-TQ2-T

UF8010L-TQ2-T概述

UF8010L-TQ2-T规格参数

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