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TN0106N3

产品描述Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小67KB,共2页
制造商Topaz Semiconductor
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TN0106N3概述

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

TN0106N3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Topaz Semiconductor
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)0.5 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码e0
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)1 W
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)

TN0106N3相似产品对比

TN0106N3 SD1137BD SD1137CHP TN0110N3 TN0110ND TN0106ND
描述 Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, Transistor, Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown
配置 Single Single - Single Single Single
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR - METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE - ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C - 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL - N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
表面贴装 NO NO - NO YES YES
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