Small Signal Field-Effect Transistor, 0.03A I(D), 25V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-72, HERMETIC SEALED PACKAGE-4
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | Linear ( ADI ) |
零件包装代码 | TO-72 |
包装说明 | CYLINDRICAL, O-MBCY-W4 |
针数 | 4 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
其他特性 | HIGH RELIABILITY |
配置 | SINGLE |
最小漏源击穿电压 | 25 V |
最大漏极电流 (ID) | 0.03 A |
最大漏源导通电阻 | 200 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss) | 1.3 pF |
JEDEC-95代码 | TO-72 |
JESD-30 代码 | O-MBCY-W4 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 4 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | METAL |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
表面贴装 | NO |
端子形式 | WIRE |
端子位置 | BOTTOM |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
LS3N171 | |
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描述 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.03A I(D), 25V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-72, HERMETIC SEALED PACKAGE-4 |
厂商名称 | Linear ( ADI ) |
零件包装代码 | TO-72 |
包装说明 | CYLINDRICAL, O-MBCY-W4 |
针数 | 4 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
其他特性 | HIGH RELIABILITY |
配置 | SINGLE |
最小漏源击穿电压 | 25 V |
最大漏极电流 (ID) | 0.03 A |
最大漏源导通电阻 | 200 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss) | 1.3 pF |
JEDEC-95代码 | TO-72 |
JESD-30 代码 | O-MBCY-W4 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 4 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | METAL |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
表面贴装 | NO |
端子形式 | WIRE |
端子位置 | BOTTOM |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
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