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AS7C331MNTD18A-200TQI

产品描述ZBT SRAM, 1MX18, 7.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100
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文件大小355KB,共19页
制造商ALSC [Alliance Semiconductor Corporation]
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AS7C331MNTD18A-200TQI概述

ZBT SRAM, 1MX18, 7.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100

AS7C331MNTD18A-200TQI规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称ALSC [Alliance Semiconductor Corporation]
零件包装代码QFP
包装说明LQFP,
针数100
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间7.5 ns
其他特性FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码R-PQFP-G100
JESD-609代码e0
长度20 mm
内存密度18874368 bit
内存集成电路类型ZBT SRAM
内存宽度18
功能数量1
端子数量100
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织1MX18
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LQFP
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)3.465 V
最小供电电压 (Vsup)3.135 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度14 mm

AS7C331MNTD18A-200TQI相似产品对比

AS7C331MNTD18A-200TQI AS7C331MNTD18A-225TQC AS7C331MNTD18A-200BI AS7C331MNTD18A-200TQC AS7C331MNTD18A-250TQC
描述 ZBT SRAM, 1MX18, 7.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100 ZBT SRAM, 1MX18, 6.9ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100 ZBT SRAM, 1MX18, 7.5ns, CMOS, PBGA165, BGA-165 ZBT SRAM, 1MX18, 7.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100 ZBT SRAM, 1MX18, 6.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 ALSC [Alliance Semiconductor Corporation] ALSC [Alliance Semiconductor Corporation] ALSC [Alliance Semiconductor Corporation] ALSC [Alliance Semiconductor Corporation] ALSC [Alliance Semiconductor Corporation]
零件包装代码 QFP QFP BGA QFP QFP
包装说明 LQFP, LQFP, LBGA, LQFP, LQFP,
针数 100 100 165 100 100
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A
最长访问时间 7.5 ns 6.9 ns 7.5 ns 7.5 ns 6.5 ns
其他特性 FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100 R-PBGA-B165 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0
长度 20 mm 20 mm 22 mm 20 mm 20 mm
内存密度 18874368 bit 18874368 bit 18874368 bit 18874368 bit 18874368 bit
内存集成电路类型 ZBT SRAM ZBT SRAM ZBT SRAM ZBT SRAM ZBT SRAM
内存宽度 18 18 18 18 18
功能数量 1 1 1 1 1
端子数量 100 100 165 100 100
字数 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words
字数代码 1000000 1000000 1000000 1000000 1000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 70 °C 85 °C 70 °C 70 °C
组织 1MX18 1MX18 1MX18 1MX18 1MX18
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 LQFP LQFP LBGA LQFP LQFP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE GRID ARRAY, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.6 mm 1.6 mm 1.7 mm 1.6 mm 1.6 mm
最大供电电压 (Vsup) 3.465 V 3.465 V 3.465 V 3.465 V 3.465 V
最小供电电压 (Vsup) 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 GULL WING GULL WING BALL GULL WING GULL WING
端子节距 0.65 mm 0.65 mm 1.27 mm 0.65 mm 0.65 mm
端子位置 QUAD QUAD BOTTOM QUAD QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm

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