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F1006B

产品描述Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小100KB,共1页
制造商Polycore Rf Devices
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F1006B概述

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

F1006B规格参数

参数名称属性值
厂商名称Polycore Rf Devices
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
配置Single
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式ENHANCEMENT MODE
极性/信道类型N-CHANNEL
表面贴装NO

F1006B相似产品对比

F1006B F1013 F1002 F1003 F1003B F1012 F1014 F1020
描述 Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
厂商名称 Polycore Rf Devices Polycore Rf Devices Polycore Rf Devices Polycore Rf Devices Polycore Rf Devices Polycore Rf Devices Polycore Rf Devices Polycore Rf Devices
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
配置 Single Single Single Single Single Single Single Single
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID) - 2 A 8 A 6 A - 12 A 4 A 20 A
最高工作温度 - 200 °C 200 °C 200 °C - 200 °C 200 °C 200 °C

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