IDT7MPV6236S66M,IDT7MPV6236S66M pdf中文资料,IDT7MPV6236S66M引脚图,IDT7MPV6236S66M电路-Datasheet-电子工程世界

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IDT7MPV6236S66M: 产品描述Cache Tag SRAM Module, 32KX64, 8.5ns, CMOS; 产品类别存储存储; 文件大小287KB，共8页; 制造商IDT (Integrated Device Technology)

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IDT7MPV6236S66M概述

Cache Tag SRAM Module, 32KX64, 8.5ns, CMOS

IDT7MPV6236S66M规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	8.5 ns
其他特性	8K X 8 CACHE TAG; 8K X 1 DIRTY BIT
JESD-30 代码	R-XDMA-N160
JESD-609代码	e0
内存密度	2097152 bit
内存集成电路类型	CACHE TAG SRAM MODULE
内存宽度	64
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	160
字数	32768 words
字数代码	32000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	32KX64
输出特性	3-STATE
可输出	YES
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行	PARALLEL
认证状态	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	TIN LEAD
端子形式	NO LEAD
端子位置	DUAL

IDT7MPV6236S66M相似产品对比

	IDT7MPV6236S66M	IDT7MPV6235S66M	IDT7MPV6235S50M	IDT7MPV6234S50M	IDT7MPV6234S66M
描述	Cache Tag SRAM Module, 32KX64, 8.5ns, CMOS	Cache Tag SRAM Module, 512KX8, 15ns, CMOS	Cache Tag SRAM Module, 512KX8, 20ns, CMOS	Cache Tag SRAM Module, 256KX8, 20ns, CMOS	Cache Tag SRAM Module, 256KX8, 15ns, CMOS
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	8.5 ns	15 ns	20 ns	20 ns	15 ns
其他特性	8K X 8 CACHE TAG; 8K X 1 DIRTY BIT	16K X 8 CACHE TAG; 16K X 1 DIRTY BIT; CONFIGURABLE AS 128K X 32 OR 64K X 64	16K X 8 CACHE TAG; 16K X 1 DIRTY BIT; CONFIGURABLE AS 128K X 32 OR 64K X 64	8K X 8 CACHE TAG; 8K X 1 DIRTY BIT; CONFIGURABLE AS 64K X 32 OR 32K X 64	8K X 8 CACHE TAG; 8K X 1 DIRTY BIT; CONFIGURABLE AS 64K X 32 OR 32K X 64
JESD-30 代码	R-XDMA-N160	R-XDMA-N160	R-XDMA-N160	R-XDMA-N160	R-XDMA-N160
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0
内存密度	2097152 bit	4194304 bit	4194304 bit	2097152 bit	2097152 bit
内存集成电路类型	CACHE TAG SRAM MODULE	CACHE TAG SRAM MODULE	CACHE TAG SRAM MODULE	CACHE TAG SRAM MODULE	CACHE TAG SRAM MODULE
内存宽度	64	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1
端子数量	160	160	160	160	160
字数	32768 words	524288 words	524288 words	262144 words	262144 words
字数代码	32000	512000	512000	256000	256000
工作模式	SYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	32KX64	512KX8	512KX8	256KX8	256KX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
可输出	YES	YES	YES	YES	YES
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	TIN LEAD	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	TIN LEAD	TIN LEAD
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
备用内存宽度	-	16	16	16	16
最大时钟频率 (fCLK)	-	66 MHz	50 MHz	50 MHz	66 MHz
I/O 类型	-	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
封装代码	-	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
封装等效代码	-	DIMM160	DIMM160	DIMM160	DIMM160
电源	-	3.3,5 V	3.3,5 V	3.3,5 V	3.3,5 V
最大待机电流	-	0.05 A	0.05 A	0.05 A	0.05 A
最小待机电流	-	3 V	3 V	3 V	3 V
最大压摆率	-	1.9 mA	1.9 mA	1.9 mA	1.9 mA
端子节距	-	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm

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