IDT7MPV6234S50M,IDT7MPV6234S50M pdf中文资料,IDT7MPV6234S50M引脚图,IDT7MPV6234S50M电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> IDT7MPV6234S50M

IDT7MPV6234S50M: 产品描述Cache Tag SRAM Module, 256KX8, 20ns, CMOS; 产品类别存储存储; 文件大小287KB，共8页; 制造商IDT (Integrated Device Technology)

下载文档详细参数选型对比全文预览

IDT7MPV6234S50M概述

Cache Tag SRAM Module, 256KX8, 20ns, CMOS

IDT7MPV6234S50M规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	20 ns
其他特性	8K X 8 CACHE TAG; 8K X 1 DIRTY BIT; CONFIGURABLE AS 64K X 32 OR 32K X 64
备用内存宽度	16
最大时钟频率 (fCLK)	50 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N160
JESD-609代码	e0
内存密度	2097152 bit
内存集成电路类型	CACHE TAG SRAM MODULE
内存宽度	8
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	160
字数	262144 words
字数代码	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	256KX8
输出特性	3-STATE
可输出	YES
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM
封装等效代码	DIMM160
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行	PARALLEL
电源	3.3,5 V
认证状态	Not Qualified
最大待机电流	0.05 A
最小待机电流	3 V
最大压摆率	1.9 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	TIN LEAD
端子形式	NO LEAD
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL

IDT7MPV6234S50M相似产品对比

	IDT7MPV6234S50M	IDT7MPV6235S66M	IDT7MPV6235S50M	IDT7MPV6234S66M	IDT7MPV6236S66M
描述	Cache Tag SRAM Module, 256KX8, 20ns, CMOS	Cache Tag SRAM Module, 512KX8, 15ns, CMOS	Cache Tag SRAM Module, 512KX8, 20ns, CMOS	Cache Tag SRAM Module, 256KX8, 15ns, CMOS	Cache Tag SRAM Module, 32KX64, 8.5ns, CMOS
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	20 ns	15 ns	20 ns	15 ns	8.5 ns
其他特性	8K X 8 CACHE TAG; 8K X 1 DIRTY BIT; CONFIGURABLE AS 64K X 32 OR 32K X 64	16K X 8 CACHE TAG; 16K X 1 DIRTY BIT; CONFIGURABLE AS 128K X 32 OR 64K X 64	16K X 8 CACHE TAG; 16K X 1 DIRTY BIT; CONFIGURABLE AS 128K X 32 OR 64K X 64	8K X 8 CACHE TAG; 8K X 1 DIRTY BIT; CONFIGURABLE AS 64K X 32 OR 32K X 64	8K X 8 CACHE TAG; 8K X 1 DIRTY BIT
JESD-30 代码	R-XDMA-N160	R-XDMA-N160	R-XDMA-N160	R-XDMA-N160	R-XDMA-N160
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0
内存密度	2097152 bit	4194304 bit	4194304 bit	2097152 bit	2097152 bit
内存集成电路类型	CACHE TAG SRAM MODULE	CACHE TAG SRAM MODULE	CACHE TAG SRAM MODULE	CACHE TAG SRAM MODULE	CACHE TAG SRAM MODULE
内存宽度	8	8	8	8	64
功能数量	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1
端子数量	160	160	160	160	160
字数	262144 words	524288 words	524288 words	262144 words	32768 words
字数代码	256000	512000	512000	256000	32000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	256KX8	512KX8	512KX8	256KX8	32KX64
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
可输出	YES	YES	YES	YES	YES
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	TIN LEAD	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	TIN LEAD	TIN LEAD
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
备用内存宽度	16	16	16	16	-
最大时钟频率 (fCLK)	50 MHz	66 MHz	50 MHz	66 MHz	-
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	-
封装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	-
封装等效代码	DIMM160	DIMM160	DIMM160	DIMM160	-
电源	3.3,5 V	3.3,5 V	3.3,5 V	3.3,5 V	-
最大待机电流	0.05 A	0.05 A	0.05 A	0.05 A	-
最小待机电流	3 V	3 V	3 V	3 V	-
最大压摆率	1.9 mA	1.9 mA	1.9 mA	1.9 mA	-
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	-

推荐资源

电热毯温控器: 市售电热毯一般有高、低两个温度档。使用时，拨在高温档，入睡后总被热醒;拨在低温档，有时醒来会觉得热度不够。为此，笔者制作了这种电热毯温控器，它可以把电热毯的温度控制在一个适宜的范围内。工作原理：电路如下图所示。图中IC为NE555时基电路;RP3为温度调节电位器，其滑动臂电位决定IC的触发电位V2和阈电位Vf，且V5=Vf=2Vz。220V交流电压经C1、R1限流降压，D1、D2整流，C2滤波，D...; Jacktang 模拟与混合信号

5V升压充电8.4V升压充电IC: 锂电池充电管理IC系列/5V升压8.4v/12.6v开关型充电IC/5V降压型4.2v/8.4v/12.6v充电IC/耐高压10V15V20V30V宽电压降压充电ICHU5810A是5V2A输入升压充电8.4V1A给双节锂电池充电芯片输入小电流不会拉死，温度60建议800-900MA5V2A 10W输入同步开关升压充电，HU5810A是一款支持双节串联锂电池/锂离子电池的升压充电管理IC。FS4...; 样品13560750180 国产芯片交流

怎么在WINCE中看TXT文件: 我用的是2410平台，在平台中我谢了一个加密程序，想在接入SD储存卡后加密卡里的TXT文件，要怎么才能在平台里打开TXT文件...; allkity WindowsCE

50kHs频率光发射电路: 50kHs频率光发射电路作者：未知文章来源：未知点击数：296 更新时间：2005-9-18...; fighting 模拟电子

CircuitPython 6.0.0 RC0 已发布: 来自：https://blog.adafruit.com/2020/10/16/circuitpython-6-0-0-release-candidate-0-released/这是CircuitPython 6.0.0的第一个发行候选版本，如果一周左右未发现任何问题，我们将以稳定版本发布此版本。自6.0.0 Beta 2起的新功能和改进修复和增强启用async和await关键字并添加__awai...; dcexpert MicroPython开源版块

【MM32 eMiniBoard测评】简易示波器-1: [i=s] 本帖最后由 fxyc87 于 2020-11-6 09:05 编辑 [/i]关键字：AD、DMA、HID、USB、C#通过MCU的ADC采集电压数据，开启DMA采样并通过USB发送PC端目前MCU端基本可以运行，PC端的C#程序还有些问题我用了2路AD模拟量，见开发板图纸，RV1,RV2两路可调电阻分别接在AIN1,AIN2上，对应的GPIO引脚是PA1,PA4初始化GPIO为模拟量功...; fxyc87 国产芯片交流

器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多