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BS170RLRE

产品描述500mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小61KB,共2页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
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BS170RLRE概述

500mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92

BS170RLRE规格参数

参数名称属性值
厂商名称Motorola ( NXP )
包装说明CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (ID)0.5 A
最大漏源导通电阻5 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-92
JESD-30 代码O-PBCY-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

BS170RLRE相似产品对比

BS170RLRE BS170RLRB BS170RL1 BS170RLRP BS170RLRM BS170RLRF BS170RL BS170ZL1
描述 500mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 500mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 500mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92 Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92 500mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92 Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92
包装说明 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 60 V 60 V 60 V 60 V 60 V 60 V 60 V 60 V
最大漏极电流 (ID) 0.5 A 0.5 A 0.5 A 0.5 A 0.5 A 0.5 A 0.5 A 0.5 A
最大漏源导通电阻 5 Ω 5 Ω 5 Ω 5 Ω 5 Ω 5 Ω 5 Ω 5 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92
JESD-30 代码 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-W3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-W3 O-PBCY-W3
元件数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3 3 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE WIRE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE WIRE WIRE
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
厂商名称 Motorola ( NXP ) Motorola ( NXP ) Motorola ( NXP ) Motorola ( NXP ) Motorola ( NXP ) - Motorola ( NXP ) Motorola ( NXP )

 
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