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GBU8K: 产品描述6 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE; 产品类别分立半导体普通整流桥; 文件大小151KB，共2页; 制造商LGE; 官网地址http://www.luguang.cn/web_en/index.html

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6 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

参数名称	属性值
Package	GBU
Maximum recurrent peak reverse voltage	800
Maximum average forward rectified current	4
Peak forward surge current	200
Maximum instantaneous forward voltage	1
Maximum reverse current	5
TJ(℃）	-55～+150

	GBU8K	GBU8A	GBU8B	GBU8D	GBU8G	GBU8J	GBU8M
描述	6 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	6 A, 50 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	8 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	8 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	8 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	6 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE
Package	GBU	GBU	GBU	GBU	GBU	GBU	GBU
Maximum recurrent peak reverse voltage	800	50	100	200	400	600	1000
Maximum instantaneous forward voltage	1	1	1	1	1	1	1
TJ(℃）	-55～+150	-55～+150	-55～+150	-55～+150	-55～+150	-55～+150	-55～+150
Maximum average forward rectified current	4	4	4	4	4	4	-
Peak forward surge current	200	200	200	200	200	200	-
Maximum reverse current	5	5	5	5	5	5	-

器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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