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GBU8J

产品描述6 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    普通整流桥   
文件大小151KB,共2页
制造商LGE
官网地址http://www.luguang.cn/web_en/index.html
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GBU8J概述

6 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

6 A, 600 V, 硅, 桥式整流二极管

GBU8J规格参数

参数名称属性值
PackageGBU
Maximum recurrent peak reverse voltage600
Maximum average forward rectified current4
Peak forward surge current200
Maximum instantaneous forward voltage1
Maximum reverse current5
TJ(℃)-55~+150

GBU8J相似产品对比

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描述 6 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 6 A, 50 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 8 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 8 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 8 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 6 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE
Package GBU GBU GBU GBU GBU GBU GBU
Maximum recurrent peak reverse voltage 600 50 100 200 400 800 1000
Maximum instantaneous forward voltage 1 1 1 1 1 1 1
TJ(℃) -55~+150 -55~+150 -55~+150 -55~+150 -55~+150 -55~+150 -55~+150
Maximum average forward rectified current 4 4 4 4 4 4 -
Peak forward surge current 200 200 200 200 200 200 -
Maximum reverse current 5 5 5 5 5 5 -
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